测试结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种测试结构，所述测试结构包括：第一子测试结构，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括第一加热器，以及位于所述第一加热器顶部表面的第一相变层，所述第一加热器的电阻值为待测阻值；第二子测试结构，包括第二串联结构，所述第二串联结构包括第二加热器，以及位于所述第二加热器顶部表面的第二相变层，所述第二相变层与所述第一相变层的阻值相同，所述第二加热器的阻值小于所述第一加热器的阻值，所述第一加热器的阻值与所述第二加热器的阻值之比大于设定值；以及所述第一子测试结构和第二子测试结构内的电连接线路的电阻相同。上述测试结构能够准确测量相变存储单元内加热器的阻值。

【技术实现步骤摘要】
测试结构
本技术涉及相变存储
，尤其涉及一种测试结构。
技术介绍
相变存储器为一种非挥发性随机存取存储器。相变存储器中的相变材料层可通过施加适当的电流而在结晶态与非结晶态之间转换。相变化材料的不同状态(例如结晶、半结晶、非结晶)代表不同的电阻值，用于存储数据的不同数值。为了改变相变化材料的结晶态，须以加热器对相变化材料加热。相变材料层与一电阻加热器连接，通过操作电流控制电阻加热器对相变材料进行加热，改变相变材料的阻值，从而进行读写或擦除操作。为了提高相变存储器的性能，降低功耗，需要尽可能减少电阻加热器与相变材料层之间的接触面积，使得加热的能量相对集中，从而可以减小操作电流的大小。为了能够更准确的控制操作电流，需要对相变存储单元的加热器的电阻值进行测试，以更加准确的控制相变存储单元进行读写或擦除操作中的加热热量。由于加热器与相变材料层为串联结构，而电阻加热器的阻值与相变材料层相比，阻值较小，无法实现对加热器阻值的单独测量，通常仅能够获取相变材料层与加热器的串联电阻值。而由于相变材料层的阻值随着温度以及电场变化，是动态本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：/n第一子测试结构，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括第一加热器，以及位于所述第一加热器顶部表面的第一相变层，所述第一加热器的电阻值为待测阻值；/n第二子测试结构，包括第二串联结构，所述第二串联结构包括第二加热器，以及位于所述第二加热器顶部表面的第二相变层，所述第二相变层与所述第一相变层的阻值相同，所述第二加热器的阻值小于所述第一加热器的阻值，所述第一加热器的阻值与所述第二加热器的阻值之比大于设定值；以及/n所述第一子测试结构和第二子测试结构内的电连接线路的电阻相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
第一子测试结构，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括第一加热器，以及位于所述第一加热器顶部表面的第一相变层，所述第一加热器的电阻值为待测阻值；
第二子测试结构，包括第二串联结构，所述第二串联结构包括第二加热器，以及位于所述第二加热器顶部表面的第二相变层，所述第二相变层与所述第一相变层的阻值相同，所述第二加热器的阻值小于所述第一加热器的阻值，所述第一加热器的阻值与所述第二加热器的阻值之比大于设定值；以及
所述第一子测试结构和第二子测试结构内的电连接线路的电阻相同。


2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述设定值的范围为10～100。


3.根据权利要求1所述的测试结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖昱程，刘峻志，张雄世，张明丰，
申请(专利权)人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司，江苏时代芯存半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32