一种芯片封装中金属互连线自修复结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种芯片封装中金属互连线自修复结构，属于集成电路封装技术领域。所述芯片封装中金属互连线自修复结构包括封装衬底、修复合金结构和若干个控制芯片；封装衬底表面制作有金属互连线；修复合金结构制作在金属互连线上相对薄弱的位置，控制芯片布置在修复合金结构的表面。通过采用封装内嵌入式控制芯片，自动检测金属互连线断点，采用热熔修复合金结构的方式，在封装结构破坏处填充缝隙，重新连接断裂的金属互连线，具有自适应监测和修复缺陷能力，定位准确，作用快速，可以有效提高封装结构的可靠性，提高封装在恶劣环境下的适用能力，降低使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装中金属互连线自修复结构
本技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种芯片封装中金属互连线自修复结构。
技术介绍
晶圆级封装使用半导体工艺制造金属互连线，为封装结构内各芯片和功能单元之间提供电学连接通道。典型金属互连线的宽度和厚度为几微米到几十微米，当封装结构承受外部环境的机械冲击（如跌落、过载、振动等）和温度变化冲击时，衬底结构或互连线本身可能发生结构破坏，这会导致金属互连线发生断裂，进而发生电路失效。在这种情况下，由于晶圆级封装结构是一个固态整体，无法开拆维修，造成整个封装结构失效报废。现有的避免由于金互连线断裂造成封装结构失效的方法是在封装中增加冗余备份，或在封装结构中增加抗冲击和抗高温结构和材料，这会导致封装结构体积和重量增加，结构复杂，封装成本上升，降低晶圆级封装的适用性，造成不良影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种芯片封装中金属互连线自修复结构，以解决目前避免由于金互连线断裂造成封装结构失效的方法会导致封装结构体积和重量增加，结构复杂的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种芯片封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装中金属互连线自修复结构，其特征在于，包括：/n封装衬底（11），其表面制作有金属互连线（13）；/n修复合金结构（12），制造在所述金属互连线（13）上；/n若干个控制芯片（14），布置在所述修复合金结构（12）表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装中金属互连线自修复结构，其特征在于，包括：
封装衬底（11），其表面制作有金属互连线（13）；
修复合金结构（12），制造在所述金属互连线（13）上；
若干个控制芯片（14），布置在所述修复合金结构（12）表面。


2.如权利要求1所述的芯片封装中金属互连线自修复结构，其特征在于，所述修复合金结构（12）制造在所述金属互连线（13）上相对薄弱的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，李杨，朱召贤，颜炎洪，孙莹，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32