一种集成的多引脚过压防护器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种多引脚过压防护器件，以适用于对失效模式有要求的功率半导体防浪涌器件的领域，包含半导体芯片、框架和引脚，至少有易熔断导线结构连接框架和芯片，形成三引脚以上的导线结构，所述的导线为具有熔断效果的线状、条状或带状导体。

【技术实现步骤摘要】
一种集成的多引脚过压防护器件
本技术涉及半导体防浪涌器件的
，尤其涉及一种集成的多引脚过压防护器件，以适用于对失效模式有要求的功率半导体防浪涌器件的领域。
技术介绍
电子设备广泛用于汽车电子、通讯、新能源、安防、消费电子、工业、医疗等行业。为了保证电子设备能够安全可靠的工作，免于雷击等浪涌冲击导致的失效，多采用防护器件对电子设备内部电路进行防护。在现有技术中，过压防护器件一般包括框架、芯片和二个引脚，采用防护器件对电子设备进行雷击保护，失效模式多为短路失效，即当雷击电压或电流超出防护器件本身性能极限时，会呈现击穿短路现象。然而此失效模式会导致电路中电流突增，烧毁电路，例如防护器件所在PCB板。虽然部分电路会另外使用PTC或保险丝，但是会额外占用PCB板空间。随着电子设备中元器件集成度及使用频率提升，其电路的工作电压和电流也相应增大，更易遭受雷击，因此，现有电子设备中的防护器件出现击穿短路现象加剧，严重影响了电子设备的安全可靠工作。同时电子设备的小型化也在越来越限制防护器件的体积。
技术实现思路
为了解决传统半导体防浪涌器件短路失效模式导致电路烧毁的问题，本技术所要解决的技术问题是：提供一种集成的多引脚过压防护器件，以提高电子设备工作的安全可靠性。为了解决上述问题，本技术通过下述方案解决所述技术问题：一种多引脚过压防护器件，包含半导体芯片、引脚框架，至少有易熔断导线结构连接框架和芯片，形成三引脚以上的导线结构，所述的导线为具有熔断效果的线状、条状或带状导体。当发生超出器件防护性能的浪涌时，通过导线结构熔断器件开路的失效模式保证整体电路产生开路结果，避免电子电路的短路烧毁。具体的，所述的引脚框架由引脚框架一、二、三组成，从下到上依次是引脚框架一、芯片、引脚框架二、引脚框架三，其中，所述的引脚框架一与芯片焊接，芯片与引脚框架三焊接，易熔断导线结构连接引脚框架三和引脚框架二。进一步的，所述的芯片是单颗芯片、两颗或两颗以上芯片叠加结构。在上述方案基础上，所述的芯片包括有保护作用的TSS芯片、TVS芯片中的一种，或二种及其以上的多种。在上述方案基础上，所述的易熔断导线结构可以由一根或二根以上的铜、铝或其他具有熔断效果的导线构成。本技术一种三引脚过压防护器件可通过下述步骤制备：步骤A：依序将引脚框架一、锡膏、TVS芯片、锡膏、引脚框架二叠加，高温焊接；步骤B：将引脚框架三与步骤A产品用易熔断的导线结构焊接；步骤C：用塑封料封装并测试。可选地，导线与引脚框架三和引脚框架二可以直接焊接连接，也可以通过焊料或焊片焊接。本技术的积极效果：当发生超出器件防护性能的浪涌时，通过导线结构熔断器件开路的失效模式保证整体电路产生开路结果，避免电子电路的短路烧毁。并且，通过对导线的选择可，以达到替换电路中保险丝的效果，本技术可以提高整体电路的集成度。附图说明图1本技术器件的侧视图；图2本技术器件的俯视图；图3本技术器件的仰视图；图4另一种本技术器件的立体图；图中标号说明1——引脚框架一；2——TVS芯片；3——引脚框架二；4——引脚框架三；5——易熔断导线结构；61、62——上、下锡膏；图4中引脚框的标号为1、3、4——引脚框架一、二、三。具体实施方式实施例1一种15V耐压的TVS器件，如图1、2和3所示，包含TVS芯片2、引脚框架一、二1、3，其中，有一个易熔断导线结构5连接引脚框架三4和与TVS芯片2连接的引脚框架二3，形成三引脚的导线结构，本实施例的易熔断导线结构5为具有熔断效果的导线5。本实施例器件按下述步骤制备：步骤A：从下到上依次是引脚框架一1、下锡膏62、TVS芯片2、上锡膏61、引脚框架二3、引脚框架三4叠加，高温焊接；其中芯片尺寸2.4*2.4mm；使所述的引脚框架一1与TVS芯片2焊接，TVS芯片2与引脚框架二3焊接。步骤B：将引脚框架三4与步骤A产品通过易熔断导线结构5焊接连接，易熔断导线结构5连接引脚框架二3和引脚框架三4步骤C：塑封料塑封、测试等步骤。本实施例为三引脚过压防护器件，易熔断导线结构5具有保护功能，通过选择导线的材质、线径及长度，使导线与芯片匹配，达到这样的效果：当发生超出器件防护性能的浪涌，TVS芯片短路，流经器件电流急遽增大，易熔断导线结构5的导线熔断，整体器件呈开路状态。可选地，导线材质可以是铜、铝或其他具有熔断效果的其他材质。可选地，芯片可以是单颗芯片，可以是锡膏焊接的两颗或多颗芯片叠加。可选地，芯片种类还可以是TSS芯片或其他保护作用芯片。实施例2本实施例与实施例近似，如图4所示，引脚框架由框架一、二、三1’、3’、4’组成，各引脚框架的形状与实施例1不同。包含TVS芯片2、引脚框架一、二1’、3’，其中，有一个易熔断导线结构5连接引脚框架三4’和与TVS芯片2连接的引脚框架二3’，形成三引脚的导线结构，本实施例的易熔断导线结构5为具有熔断效果的导线5。以上已将本技术做详细说明，但以上所述，仅为本技术的较好的实施例，不应当限定本技术实施的范围。即，凡是根据本技术申请范围所作的等效变化与修饰等，都应仍然属于本技术的专利涵盖范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多引脚过压防护器件，包含半导体芯片、引脚框架，其特征在于，至少有易熔断导线结构连接框架和芯片，形成三引脚以上的导线结构，所述的导线为具有熔断效果的线状、条状或带状导体。/n

【技术特征摘要】
1.一种多引脚过压防护器件，包含半导体芯片、引脚框架，其特征在于，至少有易熔断导线结构连接框架和芯片，形成三引脚以上的导线结构，所述的导线为具有熔断效果的线状、条状或带状导体。


2.根据权利要求1所述的多引脚过压防护器件，其特征在于，所述的引脚框架由引脚框架一、二、三组成，从下到上依次是引脚框架一、芯片、引脚框架二、引脚框架三，其中，所述的引脚框架一与芯片焊接，芯片与引脚框架二焊接，易熔断导线结构连接引脚框架二和引脚框架...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帅，魏峰，单少杰，范炜盛，张英鹏，范婷，郑彩霞，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31