半导体装置制造方法及图纸

提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本说明书所公开的技术涉及半导体装置。
技术介绍
例如，就专利文献1(日本特开2017-168590号公报)所公开的以往的半导体装置而言，在印刷基板的贯通孔的内侧与插入至该贯通孔的导电柱之间设置有熔断部件。通过采用这样的结构，从而能够提高半导体装置的可靠性。专利文献1：日本特开2017-168590号公报但是，在专利文献1所示的结构中，由于在贯通孔的中心存在导电柱，所以熔断部件仅局部地熔断，没有作为熔断器起作用。并且，由于直至熔断部件完全熔化为止需要一定的时间，因此难以在短时间发挥熔断器功能。
技术实现思路
本说明书所公开的技术就是鉴于以上所记载这样的问题而提出的，其目的在于提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。本说明书所公开的技术的第1方式具有：绝缘基板的上表面处的第1接合材料；所述绝缘基板的上表面处的第2接合材料；所述第1接合材料的上表面处的半导体元件；所述半导体元件的上表面处的第3接合材料；所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面处的第1电路图案；所述第1电路图案的上表面处的芯材；所述芯材的上表面处的第2电路图案；通孔，其从所述第1电路图案起经由所述芯材而到达至所述第2电路图案；所述通孔的内壁处的导电性膜；以及隔热材料，其在所述通孔的内部，在俯视观察时被所述导电性膜包围，所述导电性膜使所述第1电路图案与所述第2电路图案导通。另外，本说明书中公开的技术的第2方式具有：绝缘基板的上表面处的第1接合材料；所述绝缘基板的上表面处的第2接合材料；所述第1接合材料的上表面处的半导体元件；所述半导体元件的上表面处的第3接合材料；所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面处的第1电路图案；所述第1电路图案的上表面处的芯材；所述芯材的上表面处的第2电路图案；通孔，其从所述第1电路图案起经由所述芯材而到达至所述第2电路图案；以及所述通孔的内部的具有熔断器功能的电子元件，所述电子元件使所述第1电路图案与所述第2电路图案导通。专利技术的效果本说明书所公开的技术的第1方式具有：绝缘基板的上表面处的第1接合材料；所述绝缘基板的上表面处的第2接合材料；所述第1接合材料的上表面处的半导体元件；所述半导体元件的上表面处的第3接合材料；所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面处的第1电路图案；所述第1电路图案的上表面处的芯材；所述芯材的上表面处的第2电路图案；通孔，其从所述第1电路图案起经由所述芯材而到达至所述第2电路图案；所述通孔的内壁处的导电性膜；以及隔热材料，其在所述通孔的内部，在俯视观察时被所述导电性膜包围，所述导电性膜使所述第1电路图案与所述第2电路图案导通。根据这样的结构，在流过过电流时，使第1电路图案与第2电路图案导通的导电性膜的温度局部地上升，从而能够以短时间熔断，因此能够有效地抑制由过电流流入导致的半导体装置的破坏。另外，本说明书中公开的技术的第2方式具有：绝缘基板的上表面处的第1接合材料；所述绝缘基板的上表面处的第2接合材料；所述第1接合材料的上表面处的半导体元件；所述半导体元件的上表面处的第3接合材料；所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面处的第1电路图案；所述第1电路图案的上表面处的芯材；所述芯材的上表面处的第2电路图案；通孔，其从所述第1电路图案起经由所述芯材而到达至所述第2电路图案；以及所述通孔的内部的具有熔断器功能的电子元件，所述电子元件使所述第1电路图案与所述第2电路图案导通。根据这样的结构，在流过过电流时，使第1电路图案与第2电路图案导通的电子元件能够以短时间发挥熔断器功能，因此能够有效地抑制由过电流流入导致的半导体装置的破坏。另外，与本说明书所公开的技术相关的目的、特征、方案以及优点通过以下所示的详细说明和附图而变得更清楚。附图说明图1是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构例的剖面图。图2是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构例的剖面图。图3是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构例的剖面图。图4是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构例的剖面图。图5是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构例的剖面图。图6是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构例的剖面图。标号的说明1半导体元件，2绝缘基板，2a金属电路图案，2b金属板，2c绝缘片，3印刷基板，3a上表面厚铜电路图案，3b下表面厚铜电路图案，3c芯材，4铜镀层，5树脂材料，6a、6b、6c、6d、11a、11b接合材料，7壳体，8a、8b金属端子，9封装材料，10电子元件，20导电性材料，100通孔。具体实施方式以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。在以下的实施方式中，为了对技术进行说明还示出了详细的特征等，但这些特征只是示例，它们并非是为了使实施方式能够得到实施而必须的特征。另外，关于由各个实施方式产生的效果的例子，在全部实施方式涉及的说明之后进行总结记述。此外，附图是概略地示出的，为了便于说明，在附图中适当地省略结构或简化结构。另外，在不同的附图分别示出的结构等的大小以及位置的相互关系并不一定是准确地记载的，可以适当变更。另外，在不是剖面图的俯视图等附图中，为了使实施方式的内容易于理解，有时会标注阴影。另外，在以下所示的说明中，对相同的结构要素标注相同的标号而进行图示，它们的名称和功能也是同样的。因此，为了避免重复，有时会省略关于它们的详细的说明。另外，在以下所记载的说明中，即使有时会使用“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或者“背”等表示特定的位置和方向的术语，这些术语也只是为了使实施方式的内容易于理解，出于方便起见所使用的，与实际实施时的方向没有关系。另外，在以下所记载的说明中，在记载为“···的上表面”或“···的下表面”的情况下还包含下述状态，即，在作为对象的结构要素的上表面本身的基础上，还在作为对象的结构要素的上表面形成了其它结构要素。即，例如，在记载为“在甲的上表面设置的乙”的情况下，不妨碍在甲与乙之间夹着其它结构要素“丙”。另外，在以下所记载的说明中，即使有时使用“第1”或“第2”等序数，这些术语也只是为了使实施方式的内容易于理解，出于方便起见所使用的，不限定于能够由这些序数所产生的顺序等。<第1实施方式>以下，对本实施方式涉及的半导体装置进行说明。<关于半导体装置的结构>图1是概略地表示本实施方式涉及的半导体装置的结构例的剖面图。如图1所例示的那样，半导体装置具有：金属板2b；绝缘片2c，其配置于金属板2b的上表面；金属电路图案2a，其配置于绝缘片2c的上表面；以及半导体元件1，其经由焊料等接合材料6a而配置于金属电路图案2a的上表面。这里，绝缘基板2由金属电路图案2a、绝缘片2c和金属板2b构成。另外，半导体装置具有：下表面厚铜电路图案3b，其经由焊料等接合材料6b而配置在半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n绝缘基板的上表面处的第1接合材料；/n所述绝缘基板的上表面处的第2接合材料；/n所述第1接合材料的上表面处的半导体元件；/n所述半导体元件的上表面处的第3接合材料；/n所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面处的第1电路图案；/n所述第1电路图案的上表面处的芯材；/n所述芯材的上表面处的第2电路图案；/n通孔，其从所述第1电路图案起经由所述芯材而到达至所述第2电路图案；/n所述通孔的内壁处的导电性膜；以及/n隔热材料，其在所述通孔的内部，在俯视观察时被所述导电性膜包围，/n所述导电性膜使所述第1电路图案与所述第2电路图案导通。/n

【技术特征摘要】
20190117 JP 2019-0056751.一种半导体装置，其具有：
绝缘基板的上表面处的第1接合材料；
所述绝缘基板的上表面处的第2接合材料；
所述第1接合材料的上表面处的半导体元件；
所述半导体元件的上表面处的第3接合材料；
所述第2接合材料的上表面以及所述第3接合材料的上表面处的第1电路图案；
所述第1电路图案的上表面处的芯材；
所述芯材的上表面处的第2电路图案；
通孔，其从所述第1电路图案起经由所述芯材而到达至所述第2电路图案；
所述通孔的内壁处的导电性膜；以及
隔热材料，其在所述通孔的内部，在俯视观察时被所述导电性膜包围，
所述导电性膜使所述第1电路图案与所述第2电路图案导通。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1电路图案以及所述第2电路图案由厚度大于或等于0.3mm且小于或等于0.5mm的铜构成。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述导电性膜的熔点比铜的熔点低。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，
所述导电性膜包含铝或银。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，
所述导电性膜的厚度大于或等于0.05mm且小于或等于0.3mm。


6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中，
所述导电性膜是通过镀敷加工而形成的镀层。


7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：北林拓也，吉田博，石桥秀俊，村田大辅，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP