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本实用新型涉及一种测试结构，所述测试结构包括：第一子测试结构，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括第一加热器，以及位于所述第一加热器顶部表面的第一相变层，所述第一加热器的电阻值为待测阻值；第二子测试结构，包括第二串联结构，所述第二串联结构...该专利属于江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司授权不得商用。