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一种二极管结构，包含基板、柱体堆叠、以及第一阻障层。柱体堆叠设于基板上，其中柱体堆叠包含第一半导体层、硅层、以及第二半导体。第二半导体层与第一半导体层分别掺杂不同的掺质，第二半导体层与第一半导体层的电性不同。第一阻障层设于第一半导体层与硅层...该专利属于江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司授权不得商用。