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本实用新型提供一种低输入电容的IGBT，它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N‑区，在N‑区的两侧具有P阱区，在前述P阱区的内部均布置有N+源区，在两P阱区和中部N‑区交界位置的上表面均布置有栅氧区，在两栅氧区的中部布置场氧区，且前述场氧...
该专利属于宜兴杰芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜兴杰芯半导体有限公司授权不得商用。

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