形成半导体元件的方法及其集成电路技术

一种形成半导体元件的方法及其集成电路，提供形成线端延伸区域的方法以及具有线端延伸区域的元件。在一些实施方式中，一种方法包括在硬光罩层的第一区域上形成图案化光阻。在硬光罩层中形成线端延伸区域。线端延伸区域自硬光罩层的第一区域的末端侧向向外延伸。可通过改变硬光罩层在线端延伸区域的物理性质而形成线端延伸区域。形成线端延伸区域。形成线端延伸区域。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体元件的方法及其集成电路


[0001]本揭示内容的一些实施方式涉及形成半导体元件的方法及其集成电路。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC,Integrated Circuit)在制造上的推进，已达到效能密度(亦即，每晶片区域的互连元件数目)提升，以及几何尺寸(亦即，可使用制造制程生产的最小部件(或线))缩小。提升效能密度同时缩小几何尺寸，通常通过增加生产效率以及降低关联成本提供益处。然而，就元件或部件的尺寸及密度的推进，亦伴随着这些IC元件设计及制造的复杂度提升。
[0003]例如，缩减半导体基板上所限定及形成的IC特征的尺寸及间间隔，通常包括使用多个不同的光刻遮罩，并且执行切割制程，以得到IC中所利用的图案化特征。

技术实现思路

[0004]本揭示内容的一些实施方式提供形成半导体元件的方法，包括：在硬光罩层的第一区域上形成图案化光阻。在硬光罩层中形成线端延伸区域。线端延伸区域自硬光罩层的第一区域的末端侧向向外延伸。形成线端延伸区包括改变硬光罩层在线端延伸区域中的物理性质。
[0005]本揭示内容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包括：在一硬光罩层的一第一区域上形成一图案化光阻；在该硬光罩层中形成一线端延伸区域，该线端延伸区域自该硬光罩层的该第一区域的一末端侧向向外延伸，该形成该线端延伸区域包括改变该硬光罩层在该线端延伸区域的一物理性质。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：移除该图案化光阻；以及通过移除该硬光罩层在该第一区域及该线端延伸区域外部的多个部分，以暴露一目标层的多个部分。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成该线端延伸区域包括：在该硬光罩层的该线端延伸区域植入一第一离子浓度的离子；以及在该硬光罩层的该线端延伸区域外部植入一第二离子浓度的离子，该第二离子浓度大于该第一离子浓度。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该在该硬光罩层中形成该线端延伸区域包括以一离子束辐射该硬光罩层，该离子束相对于与该硬光罩层正交的一方向具有一非零离子束角度。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该非零离子束角度小于85
°
。6.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包括：在一目标层上形成一硬光罩层，该目标层设置于一基板与该硬光罩层之间；在该硬光罩层的多个第一区域上形成一图案化光阻；通过以多个离子束辐射该硬光罩层，自该些第一区域的末端向外延伸形...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧志民，赖建文，刘如淦，赖志明，张世明，严永松，张育祯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：