有源区阵列的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供了一种有源区阵列的形成方法及半导体结构。有源区阵列的形成方法包括如下步骤：提供一衬底；形成第一掩膜层于衬底表面，第一掩膜层中具有第一刻蚀图形；形成覆盖于第一掩膜层表面的第二掩膜层；形成具有第二刻蚀图形的第三掩膜层于第二掩膜层表面；形成覆盖第二刻蚀图形侧壁的侧墙；去除第三掩膜层，于相邻侧墙之间形成第三刻蚀图形；沿第三刻蚀图形刻蚀第一掩膜层，于第一掩膜层中形成第四刻蚀图形；沿第一刻蚀图形和第四刻蚀图形刻蚀衬底，于衬底内形成多个有源区。本发明专利技术避免了光刻精度对有源区尺寸的限制，使得有源区的尺寸可以进一步的缩小，衬底内部有源区阵列的密度进一步增大。进一步增大。进一步增大。

【技术实现步骤摘要】
有源区阵列的形成方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种有源区阵列的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
[0003]在DRAM等半导体结构的衬底中，具有呈阵列排布的多个有源区，形成有源区阵列。在当前的主流工艺中，有源区的形成通过圆形的图形将有源区辅助线分割为一个一个的有源区岛状结构，然后以有源区岛状结构为掩膜刻蚀衬底，形成多个呈阵列排布的有源区。但是，当前圆形图形的形成主要依赖于单一光刻图形(single-pattern)或者双重光刻图形(Lithography etch lithography etch，LELE)。但是，随着本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源区阵列的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；形成第一掩膜层于所述衬底表面，所述第一掩膜层中具有第一刻蚀图形；形成覆盖于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层；形成具有第二刻蚀图形的第三掩膜层于所述第二掩膜层表面；形成覆盖所述第二刻蚀图形侧壁的侧墙；去除所述第三掩膜层，于相邻所述侧墙之间形成第三刻蚀图形；沿所述第三刻蚀图形刻蚀所述第一掩膜层，于所述第一掩膜层中形成第四刻蚀图形；沿所述第一刻蚀图形和所述第四刻蚀图形刻蚀所述衬底，于衬底内形成多个有源区。2.根据权利要求1所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，形成第一掩膜层于所述衬底表面的具体步骤包括：依次形成第四掩膜层以及覆盖于所述第四掩膜层表面的第五掩膜层于所述衬底表面；形成覆盖于所述第五掩膜层表面的所述第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层，形成多个第一刻蚀图形，所述第一刻蚀图形将所述第一掩膜层分割为多条第一有源线。3.根据权利要求2所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，形成覆盖于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层的具体步骤包括：沉积填充满所述第一刻蚀图形并覆盖所述第一掩膜层表面的第六掩膜层；沉积所述第二掩膜层于所述第六掩膜层表面。4.根据权利要求3所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，形成具有第二刻蚀图形的第三掩膜层于所述第二掩膜层表面的具体步骤包括：沿垂直于所述衬底的方向沉积第三掩膜层于所述第二掩膜层表面；形成光阻层于所述第三掩膜层表面，所述光阻层中具有开口；沿所述开口刻蚀所述第三掩膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尔萱，周震，刘洋浩，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：