半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始牺牲层；对所述初始牺牲层的侧壁进行改性处理工艺，在所述初始牺牲层的侧壁形成过渡层；去除所述过渡层，形成牺牲层。所述形成方法减小了牺牲层的侧壁粗糙度。牺牲层的侧壁粗糙度。牺牲层的侧壁粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的进步，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，现有技术中采用了许多不同的方法以减小特征尺寸(CD)，达到增加半导体芯片集成密度的目的，包括使用自对准双重成像技术(Self-Aligned-Double-Patterning，SADP)、自对准四重成像技术(Self-Aligned-Quadra Patterning，SAQP)。
[0003]自对准双重成像技术及自对准四重成像技术都实现了空间图形密度的倍增。然而，由于自对准双重成像技术及自对准四重成像技术的制造工艺限制，降低了半导体器件的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是减小自对准双重成像技术及自对准四重成像技术中牺牲层的侧壁的粗糙程度。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案一方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始牺牲层；对所述初始牺牲层的侧壁进行改性处理工艺，在所述初始牺牲层的侧壁形成过渡层；去除所述过渡层，形成牺牲层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料为与所述初始牺牲层不同的材料。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料具有氢氧键。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始牺牲层的材料为非晶硅或氮化硅中的一种。5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料包括Si-OH基团。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层为亲水性材料。7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理工艺为等离子体处理工艺。8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理工艺的参数包括：气体包括工艺气体，所述气体的气压范围为5毫托至35毫托，所述工艺气体为H2及O2，偏置压强的范围为700V至1300V，所述气体持续轰击所述初始牺牲层的时长范围为10s至30s，所述半导体结构的温度范围为20℃至70℃。9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述气体的气压范围为5毫托至25毫托；所述半导体结构的温度范围为30℃至60℃。10.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述工艺气体中O2占气体体积的百分比含量范围为1％至3％。11.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述偏置电压范围为800V至1200V。12.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述气体持续轰击所述初始牺牲层的时长范围为10s...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏博，郑二虎，王彦，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：