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一种形成半导体元件的方法及其集成电路，提供形成线端延伸区域的方法以及具有线端延伸区域的元件。在一些实施方式中，一种方法包括在硬光罩层的第一区域上形成图案化光阻。在硬光罩层中形成线端延伸区域。线端延伸区域自硬光罩层的第一区域的末端侧向向外延伸...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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