存储器相容控制器制造技术

可自动侦测及提供ＳＤＲＡＭ及ＤＤＲ－ＲＡＭ所需的不同供应电压及终端电压的相容控制器，其可令同一存储器控制芯片同时支援两种不同规格存储器，其包括ＳＤＲＡＭ及ＤＤＲ－ＤＲＡＭ插槽、电压切换电路、侦测晶体管及终端电路，于ＳＤＲＡＭ插槽的定义为与ＳＤＲＡＭ接地脚连接的浮接接脚接至电压切换电路以及经侦测晶体管再与终端电路连接，当ＳＤＲＡＭ插入后，即可自动设定供应ＳＤＲＡＭ电压及切断ＤＤＲ－ＤＲＡＭ终端电路，反之则令ＤＤＲ－ＤＲＡＭ插槽正常运作。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
存储器相容控制器本技术为存储器相容控制器，主要为一种在同一存储器控制芯片的情况下，配合简单的周边线路，即可轻易地整合及支援SDRAM及DDR-DRAM存储器，提供两种规格存储器整合的经济性解决方案。以现今电脑系统而论，除了在中央处理单元的运算速度及频宽不断地提升之下，而相应的周边亦必须提高频宽始能发挥最佳效能，如存储器、显示卡以及硬盘等，即呈现不断地增强或汰旧换新的趋势。在此针对存储器而论，早期使用非同步的DRAM，由于速度不彰，故被同步型动态存储器(SDRAM)所取代，而SDRAM亦由早期的PC-66、PC-100、PC-133规格不断提升速度，甚至已开发出符合PC-150以上的高速存储器，然而SDRAM仍有其瓶颈，故而近来提出DDR-DRAM存储器，此种存储器由于可在同一脉冲下输出入两笔资料(DOUBLE DATA)的特性，可使输出入资料量加倍，而可望成为新一代的存储器规格。惟上述DDR-DRAM初期价格高昂，且数量较少无法大量供应，会有两种规格DRAM并存阶段，故而电脑系统厂商针对上述问题，欲推出可同时支援SDRAM及DDR-DRAM的存储器控制芯片，更欲将之整合同一存储器控制芯片(IC)内，以降低成本。然在实际中由于受限于此两种存储器的接脚数量、电压规格及周边介面截然不同，导致整合的障碍，如在图2及图3所示的SDRAM与DDR-DRAM的架构中，虽然均为与存储器控制芯片50连接，除了插槽30、40(DIMM SLOT)的接脚数量分别为168脚位以及184脚位的差异外，SDRAM插槽30的供应电压为3.3伏特，信号高电平为2.0伏特，低电平为0.8伏特，且无需任何终端电阻41(TERMINATOR)，而针对DDR-DRAM的插槽40而论，其供应电压则为2.5伏特，信号高电平为参考电压(1.25V)一035V，低电平为参考电压(1.25V)十0.35V,VTT为1.25V，需要使用终端电阻41连接至VTT端，故而基于前述种种特性的差异，导致无法将此两种规格的存储器整合在同一主机板内。本技术主要目的为提供一种存储器相容控制器，其仅需简单地增加少数控制线路，使两种存储器仍可由同一存储器控制芯片驱动，从而可简单地整合SDRAM及DDR-DRAM。本技术的次一目的在于提供一种存储器相容控制器，其使用一电压切换电路、一终端开关构成本技术的相容控制器，透过一位在SDRAM插槽内的特定接脚做为侦测点，当插入SDRAM或移出SDRAM时，可令该侦测点产生电压变化，据此相应地启闭电压切换电路以及终端电路，达到可自动侦测插入的存储器规格而自动地调整存储器供应电压及周边连接，使其可适-->用于两种存储器者。为此，本技术采用以下技术方案：一种存储器相容控制器，其特征在于它包括：至少一SDRAM存储器插槽，供插接SDRAM存储器，其总线与电脑的存储器控制芯片连接，插槽中的其一可与SDRAM存储器的电源接脚对应的浮接接脚，定义为供控制其他线路的侦测接脚；至少一DDR-RAM存储器插槽，供插接DDR-RAAM存储器，其总线与电脑的存储器控制芯片连接；一电压切换电路，具有一与前述侦测接脚连接的切换输入端，可在输入高低电平的电压而输出SDRAM或DDR-RAM所需供应电压；一终端电路，为由多数晶体管构成可由控制端控制其启闭的电子开关，各晶体管的一端连接参考电压，另端分别串接终端电阻而与DDR-RAM存储器插槽的总线连接，而该控制端受控于前述侦测接脚；藉以构成一可在某一种规格的存储器插入至相应插槽时，自动切换插槽的供应电压及启闭插槽周边的线路，以令此架构可适用于SDRAM或DDR-RAM存储器。所述电压切换电路为依照切换输入端所呈现的电压，而输出2.5伏特或3.3伏特的电压。所述侦测接脚与终端电路之间串接有一供讯号极性转换的侦测晶体管。所述终端电路的晶体管由场效应晶体管或电子开关构成。本技术的优点是：可在单一存储器控制芯片下，仅需加入少量周边线路即可适用于驱动SDRAM及DDR-RAM两不同存储器规格者，可先行使用价格低廉的SDRAM存储器，而待DDR-RAM普及性较高时，再替换为DDR-RAM存储器，令电脑获得较佳的运作效率。下面结合附图和实施例详细说明：图1是本技术的电路结构图。图2是传统SDRAM的连接示意图。图3是传统DDR-DRAM的连接示意图。如图1所示，本技术存储器相容控制器包括一可输出2.5V或3.3伏特电压的电压切换电路10(为一集成电路，型号EZ1580)、一侦测晶体管22以及一由多数晶体管21组成的终端电路20。其中，可分别供SDRAM或DDR-DRAM存储器插接的两种存储器插槽30、40的总线直接与图面左边的存储器控制芯片50连接，形成一种仅需单一存储器控制芯片50的驱动型态，而在SDRAM存储器插槽30信号的其一浮接接脚S，此接脚定义与SDRAM存储器的接地脚对应，当SDRAM存储器未插入时，呈浮接的高电压状态(因接脚经电阻与正电-->源连接之故)，而当存储器插入后，即可将此浮接接脚S转变为低电压状态，如此，可藉此有着高低电压变化的接脚侦测出是否插入SDRAM存储器，并可据以控制其他回路的动作，达到切换工作电压及周边回路的通断的功能。在图1中，即利用该浮接接脚S连接至电压切换电路10的输入端以及透过一侦测晶体管22连接至终端电路20的控制端点上。当SDRAM存储器插槽30未插入存储器时，浮接接脚S呈高电位状态，此电位讯号使电压切换电路10的输出电压切换至2.5伏特，以供应DDR-RAM存储器插槽40使用，前述电位讯号亦同时令侦测晶体管22关闭，令终端电路20内的各晶体管导通，令VTT电压可顺利地经终端电路20及各终端电阻41与DDR-RAM存储器插槽40连接，达到提供DDR-RAM存储器适当的回路连接与使之正常运作的环境。反之，当SDRAM存储器插槽30插入SDRAM存储器时，该浮接接脚S则转变为低电位状态，同理，使电压切换电路10切换至输出3.3伏特的电压，并同时关闭终端电路20，令各终端电阻41失效，如此即构成一供SDRAM存储器运作的环境。上述电路可装在一外壳中。以前述架构下，人们可先行使用价格低廉的SDRAM存储器，而待DDR-RAM普及性较高时，再替换为DDR-RAM存储器，令电脑获得较佳的运作效率，故而提供消费者折衷的解决方案，而本技术更为一种可在单一存储器控制芯片下，仅需加入少量周边线路即可适用于驱动SDRAM及DDR-RAM两种不同规格的存储器，确为一符合新颖性及进步性的设计，应符专利申请要件，爰依法提出申请。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器相容控制器，其特征在于它包括：至少一ＳＤＲＡＭ存储器插槽，供插接ＳＤＲＡＭ存储器，其总线与电脑的存储器控制芯片连接，插槽中的其一可与ＳＤＲＡＭ存储器的电源接脚对应的浮接接脚，定义为供控制其他线路的侦测接脚；至少一ＤＤＲ－ＲＡＭ存储器插槽，供插接ＤＤＲ－ＲＡＭ存储器，其总线与电脑的存储器控制芯片连接；一电压切换电路，具有一与前述侦测接脚连接的切换输入端，可在输入高低电平的电压而输出ＳＤＲＡＭ或ＤＤＲ－ＲＡＭ所需供应电压；一终端电路，为由多数晶体管构成可由控制端控制其启闭的电子开关，各晶体管的一端连接参考电压，另端分别串接终端电阻而与ＤＤＲ－ＲＡＭ存储器插槽的总线连接，而该控制端受控于前述侦测接脚。

【技术特征摘要】
1．一种存储器相容控制器，其特征在于它包括：至少一SDRAM存储器插槽，供插接SDRAM存储器，其总线与电脑的存储器控制芯片连接，插槽中的其一可与SDRAM存储器的电源接脚对应的浮接接脚，定义为供控制其他线路的侦测接脚；至少一DDR-RAM存储器插槽，供插接DDR-RAM存储器，其总线与电脑的存储器控制芯片连接；一电压切换电路，具有一与前述侦测接脚连接的切换输入端，可在输入高低电平的电压而输出SDRAM或DDR-RAM所需供应电压；一终端电路，为由多数晶体管构成可由控制端控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：张征宇，
申请(专利权)人：微星科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[]