半导体处理装置及排气方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体处理装置，其包括腔体、废气排出装置和控制器；所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；所述废气排出装置设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流；所述控制器设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。本揭示还公开一种应用于所述半导体处理装置的排气方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理装置及排气方法
本专利技术涉及半导体的
，特别是涉及一种半导体处理装置及排气方法。
技术介绍
半导体产业在制造过程中会使用各种化合物，因而不可避免地会产生废气。例如：单片式清洗机(WetSingle)通常要在一个工艺过程中以不同的程式执行多个步骤，诸如以不同化学清洗液进行清洗的多个步骤、以去离子水进行冲洗的步骤及干燥步骤。单片式清洗机的排气(exhaust)通常是由在其顶部的风机过滤单元(fanfilterunit，FFU)与在其底部的泵(Pump)共同作用产生负压，将废气排出。在不同步骤中，不同化学清洗液产生的废气量是不同的，然而现有的单片式清洗机的排气量都是预设的固定值。此使得在使用易挥发的化学清洗液的步骤中所产生的大量废气无法及时被抽走，而在单片式清洗机的腔体内凝结成液体，由废气凝结成的液体会污染设置在所述腔体内的零部件，甚至在干燥步骤时滴落至晶圆,而造成晶圆的瑕疵。若为解决此问题而将预设的固定排气量提高，则会增加能源的消耗。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体处理装置，其包括腔体、废气排出装置和控制器；所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；所述废气排出装置设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流以排出所述腔室内的废气；所述控制器设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。在一方面，每个步骤的排气目标值对应于各对应步骤中的平均废气量。在一方面，所述废气排出装置包括供气组件，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调整所述供气组件向所述腔室内输入的气流量。在一方面，所述供气组件包括风机，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述风机的转速。在一方面，所述废气排出装置包括排气风门，设置在所述排气口中，其中所述控制废气排出装置的排出速率包括调节所述排气风门的开度。在一方面，所述废气排出装置包括抽吸组件，连接至所述排气口，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述抽吸组件的抽吸力度。在一方面，所述控制器包括存储部，存储有用于控制所述废气排出装置的废气排出速率以达成所述排气目标值的程序，其中所述控制器读取并执行所述程序来控制所述废气排出装置的废气排出速率，以达成所述排气目标值。在一方面，所述程序包括每个步骤中的所述废气排出装置的工作参数。在一方面，所述半导体处理装置还包括供给部，所述供给部设置在所述腔体内，配置成供给所述多个工艺处理步骤所需的多种处理液；其中，每个步骤的排气目标值是对应于各对应步骤中所用的处理液的挥发性设置。在一方面，所述半导体处理装置还包括废气量感测器，设置在所述腔体内，配置成感测所述腔体内的即时废气量，并将即时废气量传送至所述控制器，其中所述控制器还配置成将每个步骤的即时废气量与对应步骤的排气目标值相比，当即时废气量大于排气目标值时，所述控制器控制所述废气排出装置增加废气排出速率，以及当即时废气量小于排气目标值时，所述控制器控制所述废气排出装置减少废气排出速率。本专利技术还提供一种排气方法，应用于半导体处理装置中，所述半导体处理装置包括腔体及设置在所述腔体上的废气排出装置，所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室及与所述腔室连通的排气口，且所述废气排出装置配置成向所述腔室提供气流以排出所述腔室内的废气；其特征在于，所述方法包括：因应所述多个工艺处理步骤设定各步骤的排气目标值；以及控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。在一方面，每个步骤的排气目标值对应于各对应步骤中的平均废气量。在一方面，所述废气排出装置包括供气组件，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调整所述供气组件向所述腔室内输入的气流量。在一方面，所述供气组件包括风机，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述风机的转速。在一方面，所述废气排出装置包括设置在所述排气口中的排气风门，其中所述控制废气排出装置的排出速率包括调节所述排气风门的开度。在一方面，所述废气排出装置包括连接至所述排气口的抽吸组件，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述抽吸组件的抽吸力度。在一方面，所述多个工艺处理步骤包括：在不同的步骤中输入不同挥发性的处理液；以及所述因应所述多个工艺处理步骤设定各步骤的排气目标值，包括，根据各工艺处理步骤中处理液的挥发性来设定各步骤的排气目标值。在一方面，所述半导体处理装置还包括设置在所述腔体内的废气量感测器，所述方法还包括：通过所述废气量感测器感测每个步骤中所述腔体内的即时废气量；及将每个步骤的即时废气量与对应步骤的排气目标值相比，当实时废气量大于排气目标值时，增加所述废气排出装置的废气排出速率，且当实时废气量小于排气目标值时，减少所述废气排出装置的废气排出速率。本专利技术所提供的半导体处理装置及其排气方法在会产生大量废气的步骤，控制废气排出装置增加废气排出速率，以增加排气量，使得所述大量废气能实时地排出腔体，而不会在所述腔体内凝结成液体。如此，可减少在所述腔体内的器件及/或晶圆被由所述大量废气凝结成的液体污染的风险。相对地，所述半导体处理装置及其排气方法亦可在产生废气量小的步骤，控制废气排出装置减少废气排出速率，以减少排气量，而达到节能的效果。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例的半导体处理装置的示意图。图2是本专利技术实施例的半导体处理装置与现有的半导体处理装置在不同工艺处理步骤的排气量的示意图。图3是本专利技术实施例的排气方法的流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[顶部]、[底部]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参阅图1，本专利技术实施例提供一种半导体处理装置100。所述半导体处理装置100主要包括腔体10、废气排出装置和控制器30。所述腔体10形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室12，以及与所述腔室12连通的排气口14。具体地，所述腔体10包括顶部15、与所述顶部15相对的底部16，以及围绕所述顶部15及所述底部16的侧壁17。所述顶部15、所述底部16及所述侧壁17构成所述腔室12。在此实施例中，所述排气口14形成在所述侧壁17靠近所述底部16的一端，但不限于此。在其它实施例中，所述排气口14可形成于所述底部16。在进一步的实施例中，所述腔体10在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：/n腔体，形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；/n废气排出装置，设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流以排出所述腔室内的废气；以及/n控制器，设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：
腔体，形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；
废气排出装置，设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流以排出所述腔室内的废气；以及
控制器，设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。


2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，每个步骤的排气目标值对应于各对应步骤中的平均废气量。


3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述废气排出装置包括供气组件，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调整所述供气组件向所述腔室内输入的气流量。


4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述供气组件包括风机，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述风机的转速。


5.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述废气排出装置包括：排气风门，设置在所述排气口中，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述排气风门的开度。


6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述废气排出装置包括：抽吸组件，连接至所述排气口，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述抽吸组件的抽吸力度。


7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述控制器包括：存储部，存储有用于控制所述废气排出装置的废气排出速率以达成所述排气目标值的程序，其中所述控制器读取并执行所述程序来控制所述废气排出装置的废气排出速率，以达成所述排气目标值。


8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述程序包括每个步骤中的所述废气排出装置的工作参数。


9.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：供给部，设置在所述腔体内，配置成供给所述多个工艺处理步骤所需的多种处理液；其中，每个步骤的排气目标值是对应于各对应步骤中所用的处理液的挥发性设置。


10.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：废气量感测器，设置在所述腔体内，配置成感测所述腔体内的即时废气量，并将即时废气量传送至所述控制器，其中所述控制器还配置成将每个步骤的即时废气量与对应步骤的排气目标值相比，当即时废...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝君龙，任德营，李君，郑晓芬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42