【技术实现步骤摘要】
一种低温深孔偏压溅射装置
本专利技术涉及半导体
，应用于半导体金属化制程，具体涉及一种低温深孔偏压溅射装置。
技术介绍
目前磁控溅射又称物理气相沉积，是集成电路制造过程中沉积金属层以及非金属材料广泛采用的方法。而氮化稼背孔工艺使用了这种加工方式，该技术大大降低了芯片之间的互联延时，并且是三维集成实现的关键技术。传统的磁控溅射技术中，金属原子和离子呈一定的角度溅射到晶片上，但对于高深宽比、有异向结构的氮化稼背孔，溅射的金属无法有效进入空洞内部，导致背孔的底部的薄膜覆盖率很低。现有的磁控溅射深孔沉积技术是在磁控溅射的晶片基座上加载一个负偏压来吸引等离子体，负偏压在合适的范围内时，更多的金属正离子就会被吸引吸附到深孔的孔底。通常因为晶片本身绝缘，基座的偏压都是通过在其上加载射频功率来实现的。偏压溅射在背孔工艺中的应用主要在深孔内部沉积粘附层和金籽晶层，粘附层的作用是让金与其他材料更好的粘附在一起。金籽晶层的作用是为后续电镀工艺做一层导电层，因此对于偏压溅射的背孔工艺，其底部的薄膜覆盖率就有很高的要求，粘附层的...
【技术保护点】
1.一种低温深孔偏压溅射装置，其包括靶材、腔体和置于腔体内的载片台，其特征在于，所述靶材和腔体之间增设固定有腔体适配器，所述腔体适配器上连接有适配器进水管和适配器出水管，所述载片台上固定有用于放置晶圆的冷却盘，所述腔体适配器内放置有上遮罩和下遮罩，所述上遮罩的顶部固定在腔体适配器上，所述上遮罩的下部的壁上沿着圆周方向开设有多个通孔，所述下遮罩的壁上沿着圆周方向开设有与通孔相对应的长条调节孔，所述上遮罩的下部套在下遮罩内，并通过螺栓穿设对应的长条调节孔和通孔以固定上遮罩和下遮罩，所述下遮罩的底部固定有底板，所述底板上开设有中心孔，所述底板上沿着圆周方向开设有多个安装孔，每一所...
【技术特征摘要】
1.一种低温深孔偏压溅射装置，其包括靶材、腔体和置于腔体内的载片台，其特征在于，所述靶材和腔体之间增设固定有腔体适配器，所述腔体适配器上连接有适配器进水管和适配器出水管，所述载片台上固定有用于放置晶圆的冷却盘，所述腔体适配器内放置有上遮罩和下遮罩，所述上遮罩的顶部固定在腔体适配器上，所述上遮罩的下部的壁上沿着圆周方向开设有多个通孔，所述下遮罩的壁上沿着圆周方向开设有与通孔相对应的长条调节孔，所述上遮罩的下部套在下遮罩内，并通过螺栓穿设对应的长条调节孔和通孔以固定上遮罩和下遮罩，所述下遮罩的底部固定有底板，所述底板上开设有中心孔，所述底板上沿着圆周方向开设有多个安装孔，每一所述安装孔的边沿周缘上均放置有绝缘陶瓷柱，所述绝缘陶瓷柱套设在固定柱内，所述固定柱固定于底板上，T型吊杆的顶端置于绝缘陶瓷柱的顶部，所述T型吊杆的底端与压环固定连接，所述压环置于冷却盘的上方，所述压环上沿着圆周方向设置有多个用于夹压晶圆的可调节压杆。
2.如权利要求1所述的低温深孔偏压溅射装置，其特征在于，所述压环包括压环主体，所述压环主体的表面与T型吊杆的底端固定连接，所述压环主体的内径内嵌设有变径环，所述压环主体上沿着圆周方向开设有多个压杆调节槽，每一压杆调节槽的长度方向为由压环主体的边沿向内径方向，每一压杆调节槽内嵌入可调节压杆，所述可调节压杆包括基座，所述基座上固定有长条滑块，所述长条滑块滑配于对应压杆调节槽内，所述基座的前端固定有遮盖，所述遮盖上固定有压点，所述压点朝向晶圆用于压设晶圆，每一基座和长条滑块上竖向开设有固定螺孔，通过固定螺丝依...
【专利技术属性】
技术研发人员：张强，夏久龙，
申请(专利权)人：上海悦匠实业有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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