【技术实现步骤摘要】
自支撑靶膜的制备方法及制备装置
本专利技术属于成膜
,特别涉及一种自支撑靶膜的制备方法及制备装置。
技术介绍
自支撑靶膜是指在使用过程中无载体支撑的薄膜,厚度范围覆盖几十纳米到几十微米。在大量的科学研究中,尤其是在低能核物理、激光核物理、原子核化学试验中都需要自支撑靶膜作为靶膜、剥离膜或X射线过滤器等。因此自支撑靶膜的制备成为这些实验成功与否的关键问题之一,也是核科学技术、材料科学与物理学的研究热点。目前,自支撑靶膜的制备方法为:在基衬上生长一层薄膜后,再脱膜和捞取获得自支撑靶膜。但是当靶膜很薄时,在脱膜和捞取过程中膜本体容易碎裂,成功率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种自支撑靶膜的制备方法,解决脱膜和捞取过程中靶膜容易碎裂的问题,提高靶膜制备成功率。为了实现上述目的,本专利技术采取以下技术方案:一种自支撑靶膜的制备方法,包括如下步骤:A、在真空室内布置用于制备靶膜的待成膜材料和用于承载靶膜的基衬;B、将气相的待成膜材料在基衬上沉积得到初层靶膜; ...
【技术保护点】
1.一种自支撑靶膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:/nA、在真空室内布置用于制备靶膜的待成膜材料和用于承载靶膜的基衬(2);/nB、将气相的待成膜材料在基衬(2)上沉积得到初层靶膜(11);/nC、在初层靶膜(11)的边缘区域包覆加厚层(12);/nD、对基衬(2)上的初层靶膜(11)与加厚层(12)构成的整膜进行脱膜处理,最终得到自支撑靶膜(1)。/n
【技术特征摘要】
1.一种自支撑靶膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
A、在真空室内布置用于制备靶膜的待成膜材料和用于承载靶膜的基衬(2);
B、将气相的待成膜材料在基衬(2)上沉积得到初层靶膜(11);
C、在初层靶膜(11)的边缘区域包覆加厚层(12);
D、对基衬(2)上的初层靶膜(11)与加厚层(12)构成的整膜进行脱膜处理,最终得到自支撑靶膜(1)。
2.根据权利要求1所述的自支撑靶膜的制备方法,其特征在于:所述步骤C中,加厚层(12)采用如下步骤制得:
C10、将气相的待成膜材料或者将气相的不同于待成膜材料材质的加固材料附着在初层靶膜(11)的边缘区域构成加厚层(12)。
3.根据权利要求2所述的自支撑靶膜的制备方法,其特征在于:所述步骤C10中,采用抗拉强度和撕裂强度大于待成膜材料的金属作为加固材料制备加厚层(12)。
4.根据权利要求2所述的自支撑靶膜的制备方法,其特征在于:初层靶膜(11)与加厚层(12)均采用物理气相沉积法制备。
5.根据权利要求1所述的自支撑靶膜的制备方法,其特征在于:所述步骤C中,加厚层(12)采用如下步骤制得:
C20、在初层靶膜(11)的表面包覆一层加厚层(12);
C21、采用不与初层靶膜(11)反应的刻蚀材料对加厚层(12)的中心区域刻蚀,最终在初层靶膜(11)的边缘区域获得加厚层(12)。
6.根据权利要求5所述的自支撑靶膜的制备方法,其特征在于:所述步骤C20中,加厚层(12)采用光刻胶制备,将带有初层靶膜(11)的基衬(2)固定于旋涂设备上,在初层靶膜(11)的中心区域滴上光刻胶,启动旋涂设备使得光刻胶均匀...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵冠超,代玲玲,魏彦存,耿金峰,王志辛,齐会龙,聂革,
申请(专利权)人:新奥科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:河北;13
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