一种带有防护装置的离子源制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种带有防护装置的离子源，包括一自转磁棒、防护组件和靶材组件，所述自转磁棒呈圆柱形，所述防护组件和靶材组件呈圆弧状或圆环状，所述防护组件包括两防护元件，所述防护元件通过连接件活动连接，所述两防护元件的两边相互两两连接。与现有技术相比，本发明专利技术提供的一种带有防护装置的离子源通过一个旋转机构实现了磁棒的自转，从而实现离子源的自转。通过设置七块靶材，人为将七块靶材分为两部分，每部分靶材的相邻靶材溅射后为渐进的颜色，自转磁棒旋转时，通过安装及拆卸下对应的防护元件，可自由溅射不同渐变色系的基片。

【技术实现步骤摘要】
一种带有防护装置的离子源
本专利技术涉及一种带有防护装置的离子源，属于真空镀膜领域。
技术介绍
磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法，被广泛应用于微电子、光学薄膜和材料表面处理等领域中，用于薄膜沉积和表面覆盖层的制备。膜层均匀性在大面积磁控溅射镀膜设备中，是一项非常重要的指标。影响磁控溅射镀膜均匀性的因素有很多，比如磁场分布、布气分布、电场分布和溅射挡板开口等因素。磁控溅射技术的工业化应用使得磁控溅射阴极的改进也广泛而普遍的展开，为了追求生产线的工作稳定性，工艺稳定性，膜层厚度的精确控制和设备的通用性等，在磁控溅射阴极上进行了大量的改进。为适应大面积批量化生产线的需要，由于旋转阴极结构具有自清洁、高效、工艺稳定和长工作时长的特点，而被广泛重视。目前，常用的旋转阴极提高膜层均匀性的主要方法是，保证设备的磁场均匀性、布气的均匀性和调节溅射挡板的开口尺寸等方法，及综合使用这几种方法。现有的旋转阴极结构主要是旋转靶材，但现有的旋转阴极结构的效率较低。为手机后盖设置渐变色，需要在镀膜机中放入阴极源和特制修正板，之后启动真空镀膜机运行程序镀膜，但使用修正档板方式镀制渐变色镀膜层，镀膜过程中需要频繁操作修正挡板，且对镀品装片位置有严格要求，使得镀膜过程中极容易出现镀膜层的颜色变化不均匀的问题，造成渐变效果不佳。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的是提供一种能够提高渐变效果的一种带有防护装置的离子源。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种带有防护装置的离子源，包括一自转磁棒、防护组件和靶材组件，所述自转磁棒呈圆柱形，所述防护组件和靶材组件呈圆弧状或圆环状，所述防护组件包括两防护元件，所述防护元件通过连接件活动连接，所述两防护元件的两边相互两两连接。所述自转磁棒、防护组件和靶材组件同圆心的设置，所述防护组件和靶材组件以自转磁棒的中心点为起点分别以自转磁棒的圆心位置从内至外依次设置。所述自转磁棒包括一磁棒体，所述磁棒体顶部设有一凹槽，所述凹槽设有一圈轮齿，所述自转磁棒顶部嵌有一齿轮组件，所述齿轮组件包括一齿轮和一驱动电机，所述齿轮与轮齿啮合，所述自转磁棒通过驱动电机转动从而进行自转。所述靶材组件为排列为一环形的若干靶材组成，所述靶材组件溅射后呈渐变色。所述两防护元件连接后环设于自转磁棒和靶材组件之间。所述两防护元件弧度相同，周长不同。与现有技术相比，本专利技术提供的一种带有防护装置的离子源通过一个旋转机构实现了磁棒的自转，从而实现离子源的自转。通过设置七块靶材，人为将七块靶材分为两部分，每部分靶材的相邻靶材溅射后为渐进的颜色，自转磁棒旋转时，通过安装及拆卸下对应的防护元件，可自由溅射不同渐变色系的基片。附图说明图1是本专利技术提供的自转磁棒结构示意图；图2是本专利技术提供的带有防护装置的离子源结构示意图；其中，1、自转磁棒；11、磁棒体；12、齿轮；13、驱动电机；2、防护组件；21、防护元件；22、连接件；3、靶材组件。具体实施方式下面结合实施例及对比例对本专利技术作进一步详细、完整地说明。如图1和图2所示，本实施例的带有防护装置的离子源，包括一自转磁棒1、防护组件2和靶材组件3，自转磁棒1呈圆柱形，防护组件2和靶材组件3呈圆弧状或圆环状，防护组件2包括两防护元件21，防护元件21通过连接件22活动连接，两防护元件21的两边相互两两连接。根据权利要求1的本实施例的带有防护装置的离子源，自转磁棒1、防护组件2和靶材组件3同圆心的设置，防护组件2和靶材组件3以自转磁棒1的中心点为起点分别以自转磁棒1的圆心位置从内至外依次设置。根据权利要求1的本实施例的带有防护装置的离子源，自转磁棒1包括一磁棒体11，磁棒体11顶部设有一凹槽，凹槽设有一圈轮齿，自转磁棒1顶部嵌有一齿轮组件，齿轮组件包括一齿轮12和一驱动电机13，齿轮12与轮齿啮合，自转磁棒1通过驱动电机13转动从而进行自转。根据权利要求1的本实施例的带有防护装置的离子源，靶材组件3为排列为一环形的若干靶材组成，靶材组件3溅射后呈渐变色。根据权利要求1的本实施例的带有防护装置的离子源，两防护元件21连接后环设于自转磁棒1和靶材组件3之间。根据权利要求1的本实施例的带有防护装置的离子源，两防护元件21弧度相同，周长不同。最后有必要在此说明的是：以上实施例只用于对本专利技术的技术方案作进一步详细地说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，本领域的技术人员根据本专利技术的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有防护装置的离子源，包括一自转磁棒(1)、防护组件(2)和靶材组件(3)，所述自转磁棒(1)呈圆柱形，所述防护组件(2)和靶材组件(3)呈圆弧状或圆环状，所述防护组件(2)包括两防护元件(21)，所述防护元件(21)通过连接件(22)活动连接，所述两防护元件(21)的两边相互两两连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种带有防护装置的离子源，包括一自转磁棒(1)、防护组件(2)和靶材组件(3)，所述自转磁棒(1)呈圆柱形，所述防护组件(2)和靶材组件(3)呈圆弧状或圆环状，所述防护组件(2)包括两防护元件(21)，所述防护元件(21)通过连接件(22)活动连接，所述两防护元件(21)的两边相互两两连接。


2.根据权利要求1所述的一种带有防护装置的离子源，其特征在于，所述自转磁棒(1)、防护组件(2)和靶材组件(3)同圆心的设置，所述防护组件(2)和靶材组件(3)以自转磁棒(1)的中心点为起点分别以自转磁棒(1)的圆心位置从内至外依次设置。


3.根据权利要求1所述的一种带有防护装置的离子源，其特征在于，所述自转磁棒(1)包括一磁棒体(11)...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐洪波，唐莲，祝海生，黄国兴，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43