从衬底斜面边缘区域去除金属沉积物的方法以及使用该方法的设备技术

本发明专利技术公开了一种从衬底斜面边缘区域去除金属沉积物的方法，包括：在衬底的斜面边缘区域上沉积牺牲层；在至少牺牲层上沉积金属层；在牺牲层上至少蚀刻金属层；以及将衬底放置在具有湿蚀刻流体的湿蚀刻设备中，以去除所述衬底背面的所述牺牲层和所述牺牲层上的所述金属层。该方法实现了在衬底的斜面边缘区域处有效且彻底地去除重金属元素而不会损坏衬底。

【技术实现步骤摘要】
从衬底斜面边缘区域去除金属沉积物的方法以及使用该方法的设备
本专利技术总体上涉及半导体制造技术，并且更具体地涉及一种用于从衬底的斜面边缘区域去除金属沉积物的方法以及使用该方法的设备。
技术介绍
本文提供的背景描述是为了总体上呈现本公开的背景情况的目的。在此
技术介绍
部分中所描述的范围内，目前命名的专利技术人的工作，以及在申请时可能无法以其他方式视为现有技术的描述方面，均未明确或暗含为反对本专利技术的现有技术。在衬底例如半导体衬底(或晶片)的处理中，衬底被分成多个芯片或矩形区域。多个芯片中的每个将成为集成电路。然后，在一系列步骤中对衬底进行处理，在这些步骤中，有选择地去除(或蚀刻)并沉积材料。集成电路可包含存储器架构，例如磁阻随机存取存储器(MRAM)或其他存储器架构。以MRAM为例，与静态随机存取存储器(SRAM)相比，MRAM具有更小的单元面积、更高的读/写速度和更长的耐用性的优势。然而，在衬底处理期间，对具有MRAM的衬底的处理长期以来一直与金属再沉积作斗争，其中金属再沉积可能导致磁隧道结(MTJ)柱短路。在所有再沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种从衬底的斜面边缘区域去除金属沉积物的方法，包括：/n在所述衬底的斜面边缘区域上沉积牺牲层，所述衬底具有正面和背面；/n在所述衬底和所述牺牲层上沉积金属层；/n蚀刻所述牺牲层上的所述金属层；和/n将所述衬底放置在具有湿蚀刻流体的湿蚀刻设备中，以去除所述衬底背面的所述牺牲层和所述牺牲层上的所述金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种从衬底的斜面边缘区域去除金属沉积物的方法，包括：
在所述衬底的斜面边缘区域上沉积牺牲层，所述衬底具有正面和背面；
在所述衬底和所述牺牲层上沉积金属层；
蚀刻所述牺牲层上的所述金属层；和
将所述衬底放置在具有湿蚀刻流体的湿蚀刻设备中，以去除所述衬底背面的所述牺牲层和所述牺牲层上的所述金属层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层的沉积和所述金属层的蚀刻在同一设备中执行。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层沉积在所述衬底的正面的从所述衬底的最外周斜面边缘到从所述衬底的最外周斜面边缘开始的正面沉积距离之间区域以及从所述衬底的最外周斜面边缘到从所述衬底的最外周斜面边缘开始的背面沉积距离之间的区域，并且所述背面沉积距离大于所述正面沉积距离。


4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述牺牲层的所述背面沉积距离距最外周的斜面边缘等于或大于约2毫米，并且所述牺牲层的所述正面沉积距离距最外周的斜面边缘等于或小于2毫米。


5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述金属层仅部分地覆盖所述衬底的背面处的所述牺牲层，并且所述牺牲层的至少一部分在所述衬底的背面处暴露于所述湿法蚀刻流体中。


6.如权利要求1所述的方法，还包括用所述湿法蚀刻流体蚀刻所述衬底，其中，在用所述湿法蚀刻流体蚀刻所述衬底之后，所述牺牲层的一部分保留在所述衬底的正面。


7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底放置在所述湿法蚀刻设备中包括将所述衬底的背面向上放置。


8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述牺牲层上蚀刻所述金属层包括在所述衬底的正面选择性地执行湿法蚀刻以去除在所述衬底的正面处的所述金属层。


9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述牺牲层上蚀刻所述金属层包括使用靠近所述最外周斜面边缘区域附近的等离子体来选择性地执行干法蚀刻。


10.根据权利要求9所述的方法，其中所述干法蚀刻的强度和/或持续时间对应于所述牺牲层的厚度。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述金属层是磁性隧道结层，并且所述牺牲层是氧化物层。


12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述金属层包含Pt、Ru、钛-镍氧化物、铜和/或银。


13.一种从衬底的斜面边缘区域去...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈才干，华雪锋，迟玉山，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US