一种晶片表面污染清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片表面污染清洗方法，包括下述步骤：将晶片置于常温下的超纯水中清洗；将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60‑70°C；将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗等，该晶片表面污染清洗方法使用臭氧来进行晶片的最后洗涤，跟以往清洗方法相比减少了化学液H2SO4、HCl、HF及NH4OH的使用量，减轻了对后续废液处理的难度，同时采用该方法表现出更好的洁净效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片表面污染清洗方法
本专利技术涉及一种晶片表面污染清洗方法，属于半导体制造

技术介绍
随着设备的微细化和高集成化的发展，晶片表面污染对制造、设备特性和可靠性产生的影响正在逐渐扩大。另外，随着设备加工环境也变得复杂，污染物的清除变得更加困难。很多电子器件分析数字显示，在不良原因中，70%以上是因为表面污染。目前制造设备最关心的是能控制晶片表面的污染到什么程度，最大的难关是消除污染物。目前晶片及半导体制造工艺使用的湿洗工艺使用的是1970年代Kern提出的RCA洗涤方法。湿洗法对从硅表面去除粒子、金属杂质和自然氧化膜很有效，与其他清洁方法相比具有较高的生产率。尽管如此，由于RCA清洗方法仍然使用了大量的化学清洗剂，所以存在着化学废水处理难以及环境管制等问题。
技术实现思路
针对上述存在的技术问题，本专利技术的目的是：提出了一种晶片表面污染清洗方法。本专利技术的技术解决方案是这样实现的：一种晶片表面污染清洗方法，包括下述步骤：步骤A、将晶片置于常温下的超纯水中清洗；步骤B、将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片表面污染清洗方法，其特征在于包括下述步骤：/n步骤A、将晶片置于常温下的超纯水中清洗；/n步骤B、将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60-70°C；/n步骤C、将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗；/n步骤D、将所述晶片移至盐酸、双氧水混合溶液中进行清洗，温度为常温；/n步骤E、将所述晶片移至常温的超纯水中进行超声波漂洗，所述超纯水内含有10-20PPM浓度的臭氧；/n步骤F、将所述晶片进行干燥。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片表面污染清洗方法，其特征在于包括下述步骤：
步骤A、将晶片置于常温下的超纯水中清洗；
步骤B、将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60-70°C；
步骤C、将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗；
步骤D、将所述晶片移至盐酸、双氧水混合溶液中进行清洗，温度为常温；
步骤E、将所述晶片移至常温的超纯水中进行超声波漂洗，所述超纯水内含有10-20PPM浓度的臭氧；
步骤F、将所述晶片进行干燥。


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【专利技术属性】
技术研发人员：吴镐硕，朴灵绪，
申请(专利权)人：苏州恩腾半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32