一种沉积碳化硅薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种沉积碳化硅薄膜的方法，通过将基体放入沉积反应区域内，对所述基体做预处理，其中，所述预处理为采用一束紫外射线照射所述基体表面；向所述沉积反应区域内通入第一前驱体源，所述基体与所述第一前驱体源沉积反应形成一层碳化硅分子层；向所述沉积反应区域内通入惰性气体吹扫所述基体表面去除沉积反应的副产物和未反应的第一前驱体。通过将紫外射线照射基体表面，再通入含硅碳氢的前驱体源，基体与前驱体源发生沉积反应形成一层碳化硅分子层薄膜，将基体表面沉积反应的副产物和未反应的第一前驱体吹扫去除，解决了不易在已形成图型的半导体器件的表面沉积碳化硅薄膜的技术问题，达到了能够在较低的温度沉积高质量的碳化硅薄膜的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种沉积碳化硅薄膜的方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种沉积碳化硅薄膜的方法。
技术介绍
氮化硅介质层一般用作刻蚀停止和化学惰性阻挡层，同时由于具有较高的介电常数，电信号可以快速通过氮化硅介质层。沉积氮化硅介质层的常用方法是化学气相沉积，沉积基体温度在250℃以上。相对于氮化硅，碳化硅介质层具有更好的性能用作刻蚀停止和化学惰性阻挡层，更高的介电常数。在半导体产业中，碳化硅一般用作器件基底材料而很少在已经形成图型的半导体器件的表面沉积薄膜，造成这种现象的原因有两种，一是碳化硅较难被刻蚀，二是碳化硅薄膜需要较高的温度沉积。较高的温度会促进半导体器件中的不同元素扩散，降低器件的电性能。但本专利技术申请人发现现有技术至少存在如下技术问题：由于现有技术中碳化硅较难被刻蚀，且碳化硅薄膜需要较高的沉积温度，造成碳化硅不易在已经形成图型的半导体器件的表面沉积薄膜。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种沉积碳化硅薄膜的方法，用以解决现有技术中碳化硅较难被刻蚀，且碳化硅薄膜需要较高的沉积温度，造成碳化硅不易在已经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：/n步骤一：将基体放入沉积反应区域内，对所述基体做预处理，其中，所述预处理为采用一束紫外射线照射所述基体表面；/n步骤二：向所述沉积反应区域内通入第一前驱体源，所述基体与所述第一前驱体源沉积反应形成一层碳化硅分子层；/n步骤三：向所述沉积反应区域内通入惰性气体吹扫所述基体表面去除沉积反应的副产物和未反应的第一前驱体。/n

【技术特征摘要】
1.一种沉积碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤一：将基体放入沉积反应区域内，对所述基体做预处理，其中，所述预处理为采用一束紫外射线照射所述基体表面；
步骤二：向所述沉积反应区域内通入第一前驱体源，所述基体与所述第一前驱体源沉积反应形成一层碳化硅分子层；
步骤三：向所述沉积反应区域内通入惰性气体吹扫所述基体表面去除沉积反应的副产物和未反应的第一前驱体。


2.如权利要求1所述的沉积碳化硅薄膜的方法，其特征在于，重复循环步骤一～步骤三，在所述基体表面沉积目标厚度的碳化硅薄膜。


3.如权利要求2所述的沉积碳化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法还包括：
测量所述碳化硅薄膜的厚度是否到达目标厚度；
当所述碳化硅薄膜的厚度到达目标厚度时，将所述基体从所述沉积反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈波，李楠，李培源，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11