半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法；包括如下步骤：提供基底，基底划分为若干个芯片区域；于基底上形成保护层，保护层覆盖切割道及芯片区域；对保护层进行曝光显影，以于保护层覆盖芯片区域的区域内形成若干个凹槽，凹槽的深度小于保护层的厚度。上述半导体结构的制备方法通过在保护层覆盖芯片区域内形成若干个凹槽，可以增加保护层的表面粗糙程度及表面积，从而提高后段封装时保护层与塑封层的接着性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本申请涉及半导体器件制造
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
半导体晶圆制造时会涂布保护层(譬如，Polyimide，聚酰亚胺)于晶圆的表面，作为保护晶圆内形成的芯片的保护层，同时，保护层也可以作为后段封装时与塑封层(Moldingcompound)的临接材料。然而，现有的保护层由于采用旋涂工艺形成，保护层的上表面近乎为平整的表面，除了测试焊盘(bondpad)的开口之外，绝大部分区域的保护层的表面皆为平坦面。而表面为近乎平整的保护层在后段封装时与塑封层的接着性能较差，容易导致保护层与塑封层之间发生分层剥离，从而影响器件的性能。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术中的半导体结构中晶圆表面的保护层的表面为近乎平整的表面而导致的保护层与塑封层的接着性能较差，从而导致保护层与塑封层之间容易发生分层剥离，进而影响器件的性能的问题，提供一种半导体结构及其制备方法。为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供基底，所述基底划分为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基底，所述基底划分为若干个芯片区域；/n于所述基底上形成保护层，所述保护层覆盖所述芯片区域；/n对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个凹槽，所述凹槽的深度小于所述保护层的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底，所述基底划分为若干个芯片区域；
于所述基底上形成保护层，所述保护层覆盖所述芯片区域；
对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个凹槽，所述凹槽的深度小于所述保护层的厚度。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个所述凹槽包括如下步骤：
将第一光罩置于所述保护层的上方，所述第一光罩对应于所述芯片区域的区域内形成有若干个第一透光区域；
基于所述第一光罩于第一曝光剂量或第一曝光能量下对所述保护层进行第一次曝光；
对曝光后的所述保护层进行显影；显影后所述第一次曝光的曝光区域内的所述保护层被去除的厚度小于所述保护层的厚度。


3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底内还形成有切割道，所述切割道将所述基底划分为若干个所述芯片区域；所述切割道内形成有测试焊盘，所述保护层覆盖所述测试焊盘；进行第一次曝光之后且进行显影之前还包括如下步骤：
去除所述第一光罩；将第二光罩至于所述保护层的上方，所述第二光罩对应于所述测试焊盘的区域内形成有第二透光区域；
基于所述第二光罩于第二曝光剂量或第二曝光能量下对所述保护层进行第二次曝光；所述第二曝光剂量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光剂量，所述第二曝光能量为第二次曝光的曝光区域内的所述保护层经后续显影后被完全去除的最小曝光能量；所述第二曝光剂量大于所述第一曝光剂量，所述第二曝光能量大于所述第一曝光能量。


4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述保护层进行曝光显影，以于所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成若干个所述凹槽包括如下步骤：
将光罩置于所述保护层的上方，所述光罩对应于所述芯片区域的区域内形成有若干个透光图形，各所述透光图形内均包括若干个第一透光区域；
基于所述光罩对所述保护层进行曝光；
对曝光后的所述保护层进行显影；显影后所述第一透光区域对应的曝光区域内的所述保护层被去除的厚度小于所述保护层的厚度。


5.根据权利要求2或4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，若干个所述第一透光区域呈条...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34