双频硅烷基二氧化硅沉积以最小化膜的不稳定性制造技术

一种用于使用双频工艺执行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以在衬底上沉积基于硅烷的氧化物膜的方法包括：将所述衬底布置在被配置为执行PECVD的处理室中的衬底支撑件上；并且将PECVD处理气体供应到处理室中。所述处理气体包括包含硅的第一处理气体和包含氧化剂的第二处理气体。所述方法还包括在将所述PECVD处理气体供应到所述处理室中的同时，在所述处理室中产生双频等离子体，以通过以下方式在所述衬底上沉积基于硅烷的氧化物膜：向所述处理室供应第一射频(RF)电压，以及向所述处理室供应第二RF电压。以第一频率供应所述第一RF电压，并且以不同于所述第一频率的第二频率供应所述第二RF电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双频硅烷基二氧化硅沉积以最小化膜的不稳定性相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月26日申请的美国专利申请No.16/142,370的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
本公开内容涉及在半导体衬底处理中沉积硅烷基氧化物膜。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。衬底处理系统用于在衬底(例如半导体晶片)上执行诸如膜的沉积和蚀刻之类的处理。例如，可以使用化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、原子层沉积(ALD)和/或其他沉积工艺来执行沉积以沉积导电膜、介电膜或其他类型的膜。在沉积期间，将衬底布置在衬底支撑件上，并且可以在一个或多个处理步骤期间将一种或多种前体气体供应至处理室。在PECVD工艺中，等离子体用于在沉积过程中激活处理室内的化学反应。
技术实现思路
一种用于使用双频工艺执行等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于使用双频工艺执行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以在衬底上沉积基于硅烷的氧化物膜的方法，该方法包括：/n将所述衬底布置在被配置为执行PECVD的处理室中的衬底支撑件上；/n将PECVD处理气体供应到处理室中，其中，所述处理气体包括包含硅的第一处理气体和包含氧化剂的第二处理气体；以及/n在将所述PECVD处理气体供应到所述处理室中的同时，在所述处理室中产生双频等离子体，以通过以下方式在所述衬底上沉积所述基于硅烷的氧化物膜：/n向所述处理室供应第一射频(RF)电压，以及/n向所述处理室供应第二RF电压，/n其中，以第一频率供应所述第一RF电压，并且以不同于所述第一频率的第二频率供...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180926 US 16/142,3701.一种用于使用双频工艺执行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以在衬底上沉积基于硅烷的氧化物膜的方法，该方法包括：
将所述衬底布置在被配置为执行PECVD的处理室中的衬底支撑件上；
将PECVD处理气体供应到处理室中，其中，所述处理气体包括包含硅的第一处理气体和包含氧化剂的第二处理气体；以及
在将所述PECVD处理气体供应到所述处理室中的同时，在所述处理室中产生双频等离子体，以通过以下方式在所述衬底上沉积所述基于硅烷的氧化物膜：
向所述处理室供应第一射频(RF)电压，以及
向所述处理室供应第二RF电压，
其中，以第一频率供应所述第一RF电压，并且以不同于所述第一频率的第二频率供应所述第二RF电压。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理气体包括硅烷(SiH4)。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二处理气体包括一氧化二氮(N2O)。


4.根据权利要求1所述的方法，其中以0.1至1.5sccm/cm2的流率供应所述第一处理气体。


5.根据权利要求1所述的方法，其中以0.1至20sccm/cm2的流率供应所述第二处理气体。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理气体还包括惰性气体。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述惰性气体包括氦气和氩气中的至少一种。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理气体还包括氮气(N2)。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一频率大于所述第二频率。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一频率介于12MHz至15MHz之间，并且所述第二频率在350KHz至450KHz之间。


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【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·卫，郝博易，普拉加蒂·库玛，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US