【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蚀刻，具体涉及一种精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置和方法。
技术介绍
1、在半导体制造行业，特别是芯片制作工艺中，通常会采用刻蚀技术，刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
2、再刻蚀技术中，包括等离子体刻蚀，专利申请号为：cn202211150597.9的专利公开了一种对含添加剂的氮化铝膜进行等离子体蚀刻的方法，所述含添加剂的氮化铝膜含有选自钪、钇或铒的添加剂元素。所述方法包括将工件放置在等离子腔室内的压板上，所述工件包括具有沉积在其上的含添加剂的氮化铝膜的衬底及安置在所述含添加剂的氮化铝膜上的掩模，所述掩模界定至少一个沟槽。所述方法进一步包括将第一蚀刻气体以第一流率引入所述腔室，将第二蚀刻气体以第二流率引入所述腔室，及在所述腔室内建立等离子体以蚀刻在所述沟槽内暴露的所述含添加剂的氮化铝膜。所述第一蚀刻气体包括三...
【技术保护点】
1.一种精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置，其特征在于，包括：等离子体刻蚀腔、观察窗、信息采集模块、信息处理模块、信息反馈模块以及等离子体控制模块；
2.根据权利要求1所述的精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置，其特征在于，所述信息采集模块包括：
3.根据权利要求2所述的精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置，其特征在于，所述高光谱信号采集子模块，用于等离子体刻蚀腔内的入射信号光通过观察窗进入广角成像装置后，进入高光谱成像设备的可调谐波滤波器的滤光片上，滤光片在驱动器的作用下，将入信号光中特定波长的光线以固定的角度折射出来，形成所述第二图像；
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置，其特征在于，包括：等离子体刻蚀腔、观察窗、信息采集模块、信息处理模块、信息反馈模块以及等离子体控制模块；
2.根据权利要求1所述的精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置，其特征在于，所述信息采集模块包括：
3.根据权利要求2所述的精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置，其特征在于，所述高光谱信号采集子模块，用于等离子体刻蚀腔内的入射信号光通过观察窗进入广角成像装置后，进入高光谱成像设备的可调谐波滤波器的滤光片上，滤光片在驱动器的作用下，将入信号光中特定波长的光线以固定的角度折射出来，形成所述第二图像；
4.根据权利要求2所述的精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置，其特征在于，所述信息处理模块包括：第二图像处理子模块，用于对所述第二图像进行图像处理，经过处理后的第二图像用于与处理后的第一图像形成最终特性信息；
5.根据权利要求2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴灵绪，付正超，高帅，刘强，王琪，陈亮，金信浩，韩在善，
申请(专利权)人：苏州恩腾半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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