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本发明公开了一种精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置和方法，其中蚀刻装置包括：等离子体刻蚀腔用于待去除薄膜的晶圆在等离子体的作用下进行薄膜刻蚀；设置在等离子体刻蚀腔一侧的观察窗；信息采集模块设置在观察窗外，通过观察窗采集等离子体刻蚀腔内等离子体的初...
该专利属于苏州恩腾半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州恩腾半导体科技有限公司授权不得商用。

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