【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆刻蚀，特别涉及一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法。
技术介绍
1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，晶圆表面附着一层大约2um的氧化铝和甘油混合液保护层,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。现有技术中对晶圆刻蚀过程中，采用初始的刻蚀条件进行刻蚀，直到刻蚀完成，不能根据刻蚀的厚度进行刻蚀条件的改变，浪费了资源，同时降低了刻蚀速率及刻蚀准确性。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的第一个目的在于提出一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，对晶圆刻蚀过程进行检测，根据对晶圆的刻蚀情况，对初始刻蚀条件进行优化调整，便于提高刻蚀速率及刻蚀准确性。
2、本专利技术的第二个目的在于提出一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统的控制方法。
3、为达到上述目的，本专利技术第一方面实施例提出了一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，包括：
4、加热装置，用于检测刻蚀腔室的温度，并将刻蚀腔室的温度调节至预设温度；
5、检测模块，用于在刻蚀前检测位于刻蚀腔室的待刻蚀基板的膜层的第一厚度；
6、刻蚀模块，用于：
7、向刻蚀腔室以初始通入速率通入刻蚀气体，基于放电装置将刻蚀气体激发成等离子体，通过离子加速器对等离子体进行加速来轰击待刻蚀基板，开启转动装置，控制刻蚀腔室以初始转动速率进行转动；
8、调节模块，用于：
9、在
10、根据第一厚度及第二厚度确定第一刻蚀速率，并与预设刻蚀速率进行比较；计算第一刻蚀速率与预设刻蚀速率的第一差值，在确定第一差值小于0时，根据第一差值查询预设转动速率调节数据库，确定第一调节参数，根据所述第一调节参数对初始转动速率进行调大处理；
11、在第二预设时间段后，检测待刻蚀基板的膜层的第三厚度；所述第三厚度大于预设厚度阈值；
12、根据第二厚度及第三厚度确定第二刻蚀速率，并与预设刻蚀速率进行比较；计算第二刻蚀速率与预设刻蚀速率的第二差值，在确定第二差值小于0时，根据第二差值查询预设通入速率调节数据库，确定第二调节参数，根据所述第二调节参数对初始通入速率进行调大处理。
13、根据本专利技术的一些实施例，所述调节模块，还用于：在确定待刻蚀基板的膜层的厚度小于预设厚度阈值时，基于预设参数调小通入速率及转动速率。
14、根据本专利技术的一些实施例，还包括：温度补偿模块，用于检测对待刻蚀基板的刻蚀厚度，根据刻蚀厚度及预设规则得到对刻蚀腔室的补偿温度参数。
15、根据本专利技术的一些实施例，预设温度为110℃。
16、根据本专利技术的一些实施例，所述检测模块包括原子力显微镜afm或扫描电子显微镜sem，对待刻蚀基板的膜层的轮廓参数进行测量，将测量结果与预设轮廓参数进行比较，根据比较结果确定待刻蚀基板的膜层的第一厚度。
17、根据本专利技术的一些实施例，所述检测模块包括椭偏仪，对待刻蚀基板的膜层的厚度进行测量，确定待刻蚀基板的膜层的第一厚度。
18、根据本专利技术的一些实施例，还包括，清洗模块，用于在刻蚀模块对待刻蚀基板刻蚀完成后，执行清洗操作。
19、根据本专利技术的一些实施例，所述清洗模块执行清洗操作，包括：
20、对待刻蚀基板采用酸溶液进行清洗；
21、在清洗完成后，基于碱溶液进行超声清洗。
22、根据本专利技术的一些实施例，还包括：干燥模块，用于在清洗模块执行清洗操作后，采用高温烘干，高温烘干的温度为101℃～140℃。
23、为达到上述目的，本专利技术第二方面实施例提出了一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统的控制方法，包括：
24、基于加热装置检测刻蚀腔室的温度，并将刻蚀腔室的温度调节至预设温度；
25、基于检测模块在刻蚀前检测位于刻蚀腔室的待刻蚀基板的膜层的第一厚度；
26、基于刻蚀模块向刻蚀腔室以初始通入速率通入刻蚀气体，基于放电装置将刻蚀气体激发成等离子体，通过离子加速器对等离子体进行加速来轰击待刻蚀基板，开启转动装置，控制刻蚀腔室以初始转动速率进行转动；
27、基于调节模块，在第一预设时间段后，检测待刻蚀基板的膜层的第二厚度；根据第一厚度及第二厚度确定第一刻蚀速率，并与预设刻蚀速率进行比较；计算第一刻蚀速率与预设刻蚀速率的第一差值，在确定第一差值小于0时，根据第一差值查询预设转动速率调节数据库，确定第一调节参数，根据所述第一调节参数对初始转动速率进行调大处理；在第二预设时间段后，检测待刻蚀基板的膜层的第三厚度；所述第三厚度大于预设厚度阈值；根据第二厚度及第三厚度确定第二刻蚀速率，并与预设刻蚀速率进行比较；计算第二刻蚀速率与预设刻蚀速率的第二差值，在确定第二差值小于0时，根据第二差值查询预设通入速率调节数据库，确定第二调节参数，根据所述第二调节参数对初始通入速率进行调大处理。
28、本专利技术提出了一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法，对晶圆刻蚀过程进行检测，根据对晶圆的刻蚀情况，对初始刻蚀条件进行优化调整，便于提高刻蚀速率及刻蚀准确性。
29、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
30、下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
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1.一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，所述调节模块，还用于：在确定待刻蚀基板的膜层的厚度小于预设厚度阈值时，基于预设参数调小通入速率及转动速率。
3.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，还包括：温度补偿模块，用于检测对待刻蚀基板的刻蚀厚度，根据刻蚀厚度及预设规则得到对刻蚀腔室的补偿温度参数。
4.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，预设温度为110℃。
5.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，所述检测模块包括原子力显微镜AFM或扫描电子显微镜SEM，对待刻蚀基板的膜层的轮廓参数进行测量，将测量结果与预设轮廓参数进行比较，根据比较结果确定待刻蚀基板的膜层的第一厚度。
6.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，所述检测模块包括椭偏仪，对待刻蚀基板的膜层的厚度进行测量，确定待刻蚀基板的膜层的第一厚度。
7
8.如权利要求7所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，所述清洗模块执行清洗操作，包括：
9.如权利要求7所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，还包括：干燥模块，用于在清洗模块执行清洗操作后，采用高温烘干，高温烘干的温度为101℃～140℃。
10.一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统的控制方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，所述调节模块，还用于：在确定待刻蚀基板的膜层的厚度小于预设厚度阈值时，基于预设参数调小通入速率及转动速率。
3.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，还包括：温度补偿模块，用于检测对待刻蚀基板的刻蚀厚度，根据刻蚀厚度及预设规则得到对刻蚀腔室的补偿温度参数。
4.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，预设温度为110℃。
5.如权利要求1所述的具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统，其特征在于，所述检测模块包括原子力显微镜afm或扫描电子显微镜sem，对待刻蚀基板的膜层的轮廓参数进行测量，将测量结果与预设轮廓参数进行比较，...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴灵绪，陈建福，付正超，高帅，刘强，王琪，陈亮，金信浩，韩在善，
申请(专利权)人：苏州恩腾半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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