【技术实现步骤摘要】
一种衬底加工方法及其装置
本专利技术涉及半导体制造
,特别涉及一种衬底加工方法及其装置。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中,通常需要借助生长衬底进行外延层的生长,对于生长衬底而言,衬底扭曲/弯曲是影响外延均匀性的最重要的因素。例如通常作为GaN外延层的生长衬底的蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底的机械加工过程中,会使衬底产生不均匀的应力,从而使衬底发生扭曲;例如:在多线切割过程中,由于蓝宝石较硬,钻石线受到较大的切割阻力,将出现抖动以及变形,衬底两侧线的位置不对称,导致衬底受力不均匀,发生扭曲;在研磨过程中,随着时间的推移,研磨颗粒会逐渐的减小,而不同大小的颗粒对衬底的压力是不同的,从而导致衬底的残留应力不同;在单面抛光后,最终衬底两面的粗糙度不同,会导致衬底两侧表面的应力状况不同,扭曲会进一步恶化。衬底的弯曲/扭曲使得衬底呈现出不对称的面型,不对称面型的衬底会导致后续形成的外延层的波长的收敛性降低,外延层波长的均匀性直接影响着后期器件的良率。现有技术中,一般通过控制衬底的平片加工制程,例如长晶、切割、研磨、退火、铜抛 ...
【技术保护点】
1.一种衬底加工方法,其特征在于,包括如下步骤:/n提供待测量的衬底;/n确定所述衬底的厚度和不对称面型,所述不对称面型是指衬底在径向方向上的弯曲幅度和弯曲方向不一致;/n对所述衬底进行激光扫描,在所述衬底中形成改质点以使所述衬底收敛为对称面型,所述对称面型是指衬底在每个径向方向上的弯曲幅度和弯曲方向趋于一致。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种衬底加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供待测量的衬底;
确定所述衬底的厚度和不对称面型,所述不对称面型是指衬底在径向方向上的弯曲幅度和弯曲方向不一致;
对所述衬底进行激光扫描,在所述衬底中形成改质点以使所述衬底收敛为对称面型,所述对称面型是指衬底在每个径向方向上的弯曲幅度和弯曲方向趋于一致。
2.根据权利要求1所述的一种衬底加工方法,其特征在于,对所述衬底进行激光扫描,还包括以下步骤:
确定所述衬底不对称面型的不对称的取向;
根据所述衬底在所述不对称的取向上的弯曲度,确定所述衬底的目标弯曲度bow0;
计算所述衬底在所述不对称的取向上的弯曲度值与所述目标弯曲度的弯曲度差值Δbow;
根据所述弯曲度差值Δbow确定对所述衬底进行激光扫描的扫描深度;
根据所述弯曲度差值Δbow调整不同取向上的扫描线之间的间距。
3.根据权利要求2所述的一种衬底加工方法,其特征在于,确定所述衬底不对称面型的不对称的取向,对所述衬底进行激光扫描,还包括如下步骤:
确定所述衬底的第一表面和第二表面;
确定所述不对称面型的第一取向和第二取向,所述第一取向与所述第二取向为相交的不对称的取向;
沿所述第一表面,测量所述衬底在所述第一取向上的第一弯曲度bow1;
沿所述第一表面,测量所述衬底在所述第二取向上的第二弯曲度bow2;
计算所述衬底在所述第一取向上的所述第一弯曲度与所述目标弯曲度的第一弯曲度差值Δbow1,以及所述衬底在所述第二取向上的第二弯曲度差值Δbow2。
4.根据权利要求3所述的一种衬底加工方法,其特征在于,在所述不对称的取向上,对所述衬底进行激光扫描,还包括以下步骤:
根据所述第一弯曲度差值Δbow1及所述第二弯曲度差值Δbow2确定对衬底进行激光扫描的扫描深度;
根据所述第一取向上的第一弯曲度差值Δbow1调整所述第一取向上的扫描线之间的第一间距;
根据所述第二取向上的第二弯曲度差值Δbow2调整所述第二取向上的扫描线之间的第二间距。
技术研发人员:李瑞评,曾柏翔,张佳浩,杨良,陈铭欣,
申请(专利权)人:福建晶安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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