电子装置及其操作方法制造方法及图纸

本公开提供一种电子装置及其操作方法，该装置包括多个第一阻变存储器单元和第一控制电路，第一控制电路被配置为：根据第一设定初始化值对每个第一阻变存储器单元进行第一初始化操作得到第一初始化电阻值；将每个第一初始化电阻值与选择的参考阻值进行比较；若当前被比较的第一阻变存储器单元的第一初始化电阻值小于等于参考阻值时，根据第二设定初始化值对该第一阻变存储器单元进行第二初始化操作，使其减小至第二初始化电阻值，反之，不对其进行第二初始化操作，以用于形成物理不可克隆函数数据，第一设定初始化值大于第二设定初始化值。该装置利用不同的初始化操作可有效形成物理不可克隆函数数据，还有利于后续数据有效隐藏和恢复的实现。

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其操作方法
本公开的实施例涉及一种电子装置及其操作方法。
技术介绍
物理不可克隆函数(PhysicallyUnclonableFunction，PUF)是一种新兴的芯片指纹技术，例如能够产生随机的0/1序列以作为芯片身份的唯一标识。PUF中的数据往往直接存储在非易失性存储器或CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，互补型金属氧化物半导体)电路中，存在被黑客利用物理攻击手段或系统安全漏洞直接窃取的风险。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供了一种电子装置，包括：阻变存储器阵列，包括多个第一阻变存储器单元；第一控制电路，其中，所述第一控制电路被配置为：根据第一设定初始化值，对所述多个第一阻变存储器单元中每个进行第一初始化操作得到第一初始化电阻值，以将所述多个第一阻变存储器单元中每个初始化为具有第一阻值变化区间；将所述多个第一阻变存储器单元中每个的第一初始化电阻值与选择的参考阻值进行比较；响应于所述多个第一阻变存储器单元中当前被比较的第一阻变存储器单元的第一初始化电阻值小于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，包括：/n阻变存储器阵列，包括多个第一阻变存储器单元；/n第一控制电路，其中，所述第一控制电路被配置为：/n根据第一设定初始化值，对所述多个第一阻变存储器单元中每个进行第一初始化操作得到第一初始化电阻值，以将所述多个第一阻变存储器单元中每个初始化为具有第一阻值变化区间；/n将所述多个第一阻变存储器单元中每个的第一初始化电阻值与选择的参考阻值进行比较；/n响应于所述多个第一阻变存储器单元中当前被比较的第一阻变存储器单元的第一初始化电阻值小于或等于所述参考阻值，根据第二设定初始化值，对所述当前被比较的第一阻变存储器单元进行第二初始化操作，使得所述当前被比较的第一阻变存储器单元从所...

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，包括：
阻变存储器阵列，包括多个第一阻变存储器单元；
第一控制电路，其中，所述第一控制电路被配置为：
根据第一设定初始化值，对所述多个第一阻变存储器单元中每个进行第一初始化操作得到第一初始化电阻值，以将所述多个第一阻变存储器单元中每个初始化为具有第一阻值变化区间；
将所述多个第一阻变存储器单元中每个的第一初始化电阻值与选择的参考阻值进行比较；
响应于所述多个第一阻变存储器单元中当前被比较的第一阻变存储器单元的第一初始化电阻值小于或等于所述参考阻值，根据第二设定初始化值，对所述当前被比较的第一阻变存储器单元进行第二初始化操作，使得所述当前被比较的第一阻变存储器单元从所述第一初始化电阻值减小至第二初始化电阻值，以将所述当前被比较的第一阻变存储器单元的阻值变化区间从所述第一阻值变化区间初始化为第二阻值变化区间，以及，响应于所述多个第一阻变存储器单元中当前被比较的第一阻变存储器单元的第一初始化电阻值大于所述参考阻值，不对所述当前被比较的第一阻变存储器单元进行第二初始化操作且所述当前被比较的第一阻变存储单元仍具有所述第一阻值变化区间，以用于形成物理不可克隆函数数据，
其中，所述第一设定初始化值大于所述第二设定初始化值。


2.如权利要求1所述的电子装置，其中，所述参考阻值为预先设定的第一电阻值。


3.如权利要求2所述的电子装置，其中，
所述预先设定的第一电阻值大于所述第二初始化电阻值。


4.如权利要求2所述的电子装置，其中，所述阻变存储器阵列还包括第二阻变存储器单元，
所述第一控制电路还被配置为：
根据所述第一设定初始化值，对所述第二阻变存储器单元进行所述第一初始化操作得到第三初始化电阻值；
选择所述第三初始化电阻值作为所述参考阻值。


5.如权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一控制电路还被配置为：
对所述多个第一阻变存储器单元中每个进行复位操作，以将所述多个第一阻变存储器单元中每个置于电阻值大于所述第一初始化电阻值的第一阻态，以用于隐藏所述物理不可克隆函数数据。


6.如权利要求1所述的电子装置，其中，所述阻变存储器阵列还包括多个第二阻变存储器单元，所述多个第一阻变存储器单元中每个具有对应的所述第二阻变存储器单元，
所述第一控制电路还被配置为：
根据所述第一设定初始化值，对所述多个第二阻变存储器单元中每个进行所述第一初始化操作得到第四初始化电阻值；
对于所述多个第一阻变存储器单元中每个，选择对应的所述第二阻变存储器单元的第四初始化电阻值作为所述参考阻值。


7.如权利要求6所述的电子装置，其中，所述多个第一阻变存储器单元与所述多个第二阻变存储器单元一一对应。


8.一种电子装置，包括：阻变存储器阵列和第二控制电路，其中，
所述阻变存储器阵列包括多个第一阻变存储器单元，所述多个第一阻变存储器单元中每个已根据第一设定初始化值进行第一初始化操作而初始化为第一初始化电阻值并具有第一阻值变化区间，在所述多个第一阻变...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华强，林博瀚，高滨，唐建石，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11