一种阻变存储器预处理方法及装置制造方法及图纸

一种阻变存储器预处理方法及装置，用以减少RRAM预处理过程中的弛豫现象。本申请中，预处理装置可以调整阻变存储器的温度，将阻变存储器的温度调整为第一处理温度；之后，预处理装置可以在第一处理温度下对阻变存储器施加处理电压，在处理电压的作用下阻变存储器的电阻可以发生变化，从第一电阻转变为第二电阻。在对阻变存储器进行预处理的过程中调整了阻变存储器的温度，使得氧空位的可以迁移较远的距离，不容易发生复合，进而减少了阻变存储器中的弛豫现象。

【技术实现步骤摘要】
一种阻变存储器预处理方法及装置
本申请涉及存储
，尤其涉及一种阻变存储器预处理方法及装置。
技术介绍
阻变存储器(resistiverandomaccessmemory，RRAM)为一种新型的存储器，利用金属氧化物在不同的电压下，阻值变化引起的电流差异实现数据存储。RRAM在出厂前需要进行预处理完成RRAM的初始化，增大RRAM中阻变层的氧空位浓度。RRAM在进行预处理时，需要施加比RRAM工作电压更大的处理电压，较大的处理电压增加了RRAM外围电路的复杂度，提高了RRAM外围电路设计难度和成本。为此，需要尽量减小RRAM在进行预处理时所采用处理电压，目前常见的有如下两种方式：方式一、改变RRAM的制备方法。在RRAM的制备过程中，进行退火处理，增加RRAM中阻变层中氧空位的浓度。方式二、对RRAM交替多次施加小于RRAM工作电压的正向电压和反向电压，在施加正向电压和反向电压的过程中，在阻变层中积累氧空位。但这两种方式，在增大RRAM中阻变层的氧空位浓度也会加大RRAM的弛豫现象，也就是说，在进行预本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻变存储器预处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n将阻变存储器的温度调整为第一处理温度；/n在所述第一处理温度下对所述阻变存储器施加处理电压，所述处理电压用于将所述阻变存储器的电阻从第一电阻转变为第二电阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器预处理方法，其特征在于，所述方法包括：
将阻变存储器的温度调整为第一处理温度；
在所述第一处理温度下对所述阻变存储器施加处理电压，所述处理电压用于将所述阻变存储器的电阻从第一电阻转变为第二电阻。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
根据所述阻变存储器的阻变层的厚度和材料特性确定所述第一处理温度和所述处理电压。


3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一处理温度和所述处理电压满足：



其中，V是所述处理电压；t为所述处理电压的施加时间；H为所述阻变层的厚度；T为所述第一处理温度，k玻尔兹曼常数，e为自然常数；D是离子在所述阻变层中的扩散系数；Ea是离子在所述阻变层中的跃迁激活能，q为所述阻变层中离子的电荷量，所述D和所述Ea为所述阻变存储器的阻变层的材料特性。


4.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
确定所述阻变存储器的电阻未达到所述第二电阻；
调整所述第一处理温度为第二处理温度，其中所述第二处理温度高于所述第一处理温度；
在所述第二处理温度下对所述阻变存储器施加所述处理电压。


5.如权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述阻变存储器的阻变层的厚度和材料特性确定所述第一处理温度和所述处理电压之后，还包括：
根据所述第一电阻与所述阻变存储器的标准电阻的关系，更新所述第一处理温度，所述阻变存储器的标准电阻是根据所述阻变存储器的阻变层的电阻率、长度以及横截面积确定的；或
根据所述阻变存储器的第一电阻与所述阻变存储器的标准电阻的关系，更新所述处理电压。


6.如权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，所述第一处理温度大于25度，小于150度。


7.一种预处理装置，其特征在于，所述装置包括温控模块、电压控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：台路，许晓欣，张锐，吕杭炳，王侃文，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44