忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质，方法包括：步骤1、确定忆阻器的第一阻值，若第一阻值大于预设阈值，则执行步骤2；步骤2、执行电铸；步骤3、判断电铸是否成功，若所述电铸成功，则执行步骤4；步骤4、确定忆阻器的第二阻值；步骤5、若第二阻值处于目标阻值区域外，则执行阻值调制；步骤6、确定忆阻器的第三阻值；步骤7、若第三阻值处于目标阻值区域内，则进行阻值校验，若阻值校验成功，则完成阻值调控。本方案实现了逐步将忆阻器的阻值逼近目标阻值的效果。

【技术实现步骤摘要】
忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质
本专利技术涉及忆阻器阻值调控
，尤其涉及忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质。
技术介绍
忆阻器，全称记忆电阻器(英文名为Memristor)，忆阻器是表示磁通与电荷关系的电路器件。忆阻器的阻值是由流经它的电荷确定的。而有效的忆阻器的阻值调控是实现各类忆阻器应用的前提。例如在基于忆阻器的神经形态计算和存内计算中，要实现基本的系统功能，就必须先要对忆阻器进行快速、精确、稳定的阻值写入。目前，为了解决忆阻器的阻值调控问题，业界广泛采用的方法包括：一、固定脉冲参数通过施加脉冲数量调制阻值的方法；二、变化脉冲幅度调制阻值的方法；三、变化脉冲宽度调制阻值的方法。但是由于受限于忆阻器的制备工艺，这些操作方法的适应性不佳，难以对实际忆阻器的阻值进行精确稳定调控。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出了忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质，用以实现对忆阻器的阻值进行精确稳定调控。具体的，本专利技术提出了以下具体的实施例：第一方面，本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种忆阻器阻值调控方法，其特征在于，所述忆阻器连接晶体管，施加在所述忆阻器的脉冲幅度恒定，所述晶体管的栅极施加有栅压；该方法包括：/n步骤1、确定待调控的所述忆阻器的第一阻值，若所述第一阻值大于预设阈值，则执行步骤2；/n步骤2、基于所述脉冲与所述栅压对所述忆阻器执行电铸；所述电铸用于打通所述忆阻器的导电通道；/n步骤3、判断所述电铸是否成功，若所述电铸成功，则执行步骤4；/n步骤4、确定所述忆阻器的第二阻值，若所述第二阻值处于预设的目标阻值区域外，则执行步骤5；/n步骤5、基于所述脉冲与所述栅压对所述忆阻器执行阻值调制；/n步骤6、在所述阻值调制后确定所述忆阻器的第三阻值，若所述第三阻值...

【技术特征摘要】
1.一种忆阻器阻值调控方法，其特征在于，所述忆阻器连接晶体管，施加在所述忆阻器的脉冲幅度恒定，所述晶体管的栅极施加有栅压；该方法包括：
步骤1、确定待调控的所述忆阻器的第一阻值，若所述第一阻值大于预设阈值，则执行步骤2；
步骤2、基于所述脉冲与所述栅压对所述忆阻器执行电铸；所述电铸用于打通所述忆阻器的导电通道；
步骤3、判断所述电铸是否成功，若所述电铸成功，则执行步骤4；
步骤4、确定所述忆阻器的第二阻值，若所述第二阻值处于预设的目标阻值区域外，则执行步骤5；
步骤5、基于所述脉冲与所述栅压对所述忆阻器执行阻值调制；
步骤6、在所述阻值调制后确定所述忆阻器的第三阻值，若所述第三阻值处于所述目标阻值区域内，则执行步骤7；
步骤7、对所述忆阻器进行阻值校验，若所述阻值校验成功，则完成对所述忆阻器的阻值调控。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2包括：
步骤21、确定所述忆阻器的目标阻值；
步骤22、根据所述目标阻值调整所述栅压；所述目标阻值越大，调整后的所述栅压越小；
步骤23、基于所述脉冲与调整后的所述栅压对所述忆阻器执行电铸。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第一阻值小于预设值，则确定所述忆阻器损坏，并执行结束流程；所述预设值小于所述目标阻值区域中的最小阻值。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第一阻值处于所述目标阻值区域内，则执行步骤7。


5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第一阻值处于所述目标阻值区域外，且所述第一阻值大于所述预设值，同时所述第一阻值小于所述预设阈值，则执行步骤5。


6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述电铸未成功，则调高所述栅压；
通过所述脉冲与调高后的所述栅压对所述忆阻器执行所述电铸，并执行步骤3。


7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
记录执行所述电铸的未成功次数；
若所述未成功次数超过设定上限值，则执行结束流程。


8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
若所述第二阻值处于所述目标阻值区域内，则执行步骤7。


9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲包括：正脉冲与负脉冲；
所述步骤5包括：
步骤51、基于所述第二阻值选择脉冲宽度；所述第二阻值越大，选择的所述脉冲宽度越小；
步骤52、按照Set方向和Reset方向分别对所述栅压进行初始化，得到Set栅压与Reset栅压；所述Set栅压小于所述Reset栅压；
步骤53、若所述第二阻值小于所述忆阻器的目标阻值，调用所述Reset栅压，并选择所述负脉冲按照选择的所述脉冲宽度以预设时间间隔施加一组脉冲；
步骤54、若所述第二阻值大于所述目标阻值，调用所述Set栅压，并选择所述正脉冲按照选择的所述脉冲宽度以所述预设时间间隔施加一组脉冲；
步骤55、记录每次施加脉冲后的所述忆阻器的阻值，并将记录的所述阻值设置为所述第二阻值，以执行步骤53或步骤54；
步骤56、若获取到预设数量的所述阻值，且当前最新的所述阻值处于所述目标阻值区域内，则完成对所述忆阻器的阻值调制。


10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：
若当前最新的所述阻值处于所述目标阻值区域外，判断最新施加的脉冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：李清江，王义楠，刘海军，李纪伟，刘森，陈长林，李智炜，宋兵，王伟，徐晖，刁节涛，李楠，于红旗，王玺，步凯，王琴，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43