非易失性存储器及其操作方法技术

一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年11月20日在美国专利局提交的美国临时申请62/937,850和于2020年1月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2020-0010030的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及非易失性存储器件及其操作方法。
技术介绍
作为半导体存储器件的非易失性存储器件即使在电源断开的情况下也保持存储在其上的信息，因此可以在向其供电时再次访问和/或使用存储的信息。非易失性存储器件可用于手机、数码相机、个人数字助理(PDA)、移动计算机、固定计算机和其他设备中。最近，已经进行了研究以在下一代神经形态计算平台或神经网络所包括的芯片中使用非易失性存储器件。特别地，需要具有光电导性(PC)的非易失性存储器件。
技术实现思路
提供了非易失性存储器件及其操作方法。提供了其上记录有用于在计算机上执行该方法的程序的计算机可读记录介质。要解决的技术问题不限于上述技术问题，因此可以解决其他技术问题。另外的方面将在下面的描述中部分地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器件，包括：/n具有电阻值的电阻切换层，电阻切换层被配置为基于照射到其上的光的照度来改变电阻值以及被配置为维持改变后的电阻值；/n在电阻切换层上的栅极；/n在电阻切换层和栅极之间的栅极氧化物层；和/n在电阻切换层上并且彼此间隔开的源极和漏极。/n

【技术特征摘要】
20200128 KR 10-2020-0010030;20191120 US 62/937,8501.一种非易失性存储器件，包括：
具有电阻值的电阻切换层，电阻切换层被配置为基于照射到其上的光的照度来改变电阻值以及被配置为维持改变后的电阻值；
在电阻切换层上的栅极；
在电阻切换层和栅极之间的栅极氧化物层；和
在电阻切换层上并且彼此间隔开的源极和漏极。


2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述栅极包括在所述电阻切换层上方并且被配置为透射所照射的光的透明导电电极(TCE)栅极。


3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻切换层包括二维(2D)材料，所述2D材料包括过渡金属二硫化碳(TMD)、硅烯、磷或石墨烯组成中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻切换层是单层。


5.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻切换层是多层。


6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻切换层包括三维(3D)材料，所述3D材料包括锗烷、硅烯、III-V族半导体或IGZO族中的至少一种。


7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述栅极氧化物层是包括电荷俘获层的多层。


8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，电阻开关层的电阻值的改变包括在向栅极施加截止电压的状态下，随着照射到电阻开关层的光的照度增加，所述电阻切换层的电阻值减小。


9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，当对所述栅极施加导通电压时，所述电阻切换层被配置为复位电阻值。


10.一种使用包括多个非易失性存储器件的纵横制阵列执行操作的方法，该方法包括：
向多个非易失性存储器件中的每个非易失性存储器件的栅极施加截止电压；
通过向多个非易失性存储器件照射具有与多个元件相对应的照度的光，来改变多个非易失性存储器件中的每一个的电阻切换层的电阻值；和
向纵横制阵列的至少一行施加栅极截止电压并从纵横制阵列的每一列获得源极电流。


11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珉贤，H张，D哈姆，C刘，H欣顿，金海龙，申铉振，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，哈佛大学的校长及成员们，
类型：发明
国别省市：韩国;KR