存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

存储器装置及其操作方法。根据操作方法的存储器装置可包括：多个页，其联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择；编程操作控制器，其被配置为对所述多个页当中的要首先编程的第一页执行编程操作；以及起始循环管理器，其被配置为生成关于在对第一页的编程操作期间与包括在第一页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息。编程操作控制器还被配置为基于起始循环信息对所述多个页当中的要在第一页之后编程的第二页执行编程操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置以及操作该存储器装置的方法。
技术介绍
存储装置是在主机装置(例如，计算机或智能电话)的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置是只有当供电时才存储数据，当供电中断时丢失所存储的数据的存储器装置。易失性存储器装置的示例可包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储器装置是即使当供电中断时也保持所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存。
技术实现思路
根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括多个页，所述多个页联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择。该存储器装置还可包括编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为对所述多个页当中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：/n多个页，所述多个页联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择；/n编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为对所述多个页当中的要首先编程的第一页执行编程操作；以及/n起始循环管理器，该起始循环管理器被配置为生成关于在对所述第一页的编程操作期间与包括在所述第一页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息，/n其中，所述编程操作控制器还被配置为基于所述起始循环信息对所述多个页当中的要在所述第一页之后编程的第二页执行编程操作。/n

【技术特征摘要】
20191121 KR 10-2019-01504641.一种存储器装置，该存储器装置包括：
多个页，所述多个页联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择；
编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为对所述多个页当中的要首先编程的第一页执行编程操作；以及
起始循环管理器，该起始循环管理器被配置为生成关于在对所述第一页的编程操作期间与包括在所述第一页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息，
其中，所述编程操作控制器还被配置为基于所述起始循环信息对所述多个页当中的要在所述第一页之后编程的第二页执行编程操作。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为在对所述第二页的编程操作期间基于所述起始循环信息省略与包括在所述第二页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证。


3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程验证包括通过比特检查操作和失败比特检查操作中的任一个，所述通过比特检查操作确定阈值电压高于验证电压的存储器单元的数量是否大于第一基准数量，所述失败比特检查操作确定阈值电压低于所述验证电压的存储器单元的数量是否小于第二基准数量。


4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述起始循环管理器被配置为基于对要编程到所述第一页的多个编程状态中的每一个的通过比特检查操作已经通过的编程循环来生成所述起始循环信息。


5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述起始循环管理器被配置为生成关于对要编程到所述第一页的所述多个编程状态中的每一个的失败比特检查操作开始的编程循环的起始循环信息。


6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为基于所述起始循环信息来省略对要编程到所述第二页的多个编程状态的失败比特验证操作。


7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为在直至就在对要编程到所述第一页的所述多个编程状态中的每一个的所述失败比特验证操作开始的编程循环之前的编程循环的范围内省略对要编程到所述第二页的所述多个编程状态中的每一个的所述失败比特验证操作。


8.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为从这样的编程循环开始执行所述失败比特检查操作，该编程循环在对所述第一页的编程操作期间对多个编程状态中的每一个的所述通过比特检查操作已经通过的编程循环之后。


9.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为从这样的编程循环开始执行所述失败比特检查操作，该编程循环在从对所述第一页的编程操作期间对多个编程状态中的每一个的所述通过比特检查操作已经通过的编程循环起已执行预设数量的编程循环之后。


10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为通过将选择电压依次施加到不同的选择线来对所述多个页依...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗勋，朴世泉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR