【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的擦除方法和非易失性存储器
本专利技术实施例涉及时序电路
，尤其涉及一种非易失性存储器的擦除方法和非易失性存储器。
技术介绍
随着数字化时代的到来，时序电路技术成为发展的数字化发展的重要领域，非易失性存储器得到了广泛的应用。非易失性存储器可以多次进行编程操作，但是在编程操作之前必须对非易性存储器进行擦除操作。现有技术中，非易失性存储器的擦除操作是以存储块为单位，当需要擦除多个存储块时，一般按照顺序依次对存储块进行擦除，图1是现有技术的擦除示意图，参见图1，非易失性存储器的块擦除主要包括擦除Erase和验证EV(Eraseverify，擦除验证)两个阶段,先对待擦除块进行Erase，再进行EV，如果EV验证失败，那么进行下一个循环Loop，待擦除块擦除成功或者Loop达到最大数值，停止对待擦除块的擦除，图2是现有技术的实现流程图，如图2所示，当待擦除的存储块数量较多时，需要按照顺序一个一个的擦除待擦除块，当待擦除块总数较大时，由于擦除时间与待擦除块的总数成正比，需要花费大量擦除时间，非易失性存储器的
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，包括：/n获取至少两个待擦除块；/n对各所述待擦除块同时进行擦除操作；/n根据各所述待擦除块的阈值电压及预设的电平阈值，确定各所述待擦除块的擦除状态；/n若各所述擦除状态符合预设条件则确定各所述待擦除块完成擦除。/n
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，包括：
获取至少两个待擦除块；
对各所述待擦除块同时进行擦除操作；
根据各所述待擦除块的阈值电压及预设的电平阈值，确定各所述待擦除块的擦除状态；
若各所述擦除状态符合预设条件则确定各所述待擦除块完成擦除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取至少两个待擦除块，包括：
基于选通电路选择目标存储块；
将所述目标存储块标记为未擦除状态，并将标记后的目标存储块作为待擦除块。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对各所述待擦除块同时进行擦除操作，包括：
同时对各所述待擦除块施加擦除电压以实现擦除操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述待擦除块的阈值电压及预设的电平阈值，确定各所述待擦除块的擦除状态，包括：
针对每个待擦除块，获取所述待擦除块的阈值电压；
若所述阈值电压小于电平阈值，则将所述待擦除块的标记为已擦除状态。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述若各所述擦除状态符合预设条件则确定各所述待擦除块完成擦除，包括：
获取各所述待擦除块对应的标记符；
若各所述标记符均为已擦除状态，确定各所述待擦除...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱长峰，李琪，
申请(专利权)人：合肥格易集成电路有限公司，北京兆易创新科技股份有限公司，上海格易电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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