【技术实现步骤摘要】
嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路、方法及芯片
本专利技术涉及芯片
，具体地涉及一种嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路、方法及芯片。
技术介绍
Flash存储器又称闪存，它结合了ROM（ReadOnlyMemory，只读存储器）和RAM（RandomAccessMemory，随机存取存储器）的优点，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还可以快速读取数据，数据不会因为断电而丢失。由于Flash存储器的上述特性，其逐渐代替了ROM在嵌入式系统中的地位，用作存储引导装载程序以及操作系统或者程序代码，或者直接作为硬盘使用。现有的嵌入式Flash存储器在擦写过程中，需要使用电荷泵电路来产生高于电源电压的擦写电压。在现有的嵌入式Flash存储器中，为了保证擦写过程中擦写高电压的稳定性，一般会在电荷泵电路的高压输出端连接一个较大数值（例如，pF级）的电容，保证该高电压信号不会在擦写过程中有较大的跳变。但是，当嵌入式Flash存储器在产生高电压擦写过程中，如果其所在的芯片或应用系统中发生电源不稳或掉电，例如服务器电...
【技术保护点】
1.一种嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路，其特征在于，所述嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路包括依次连接的电压检测模块、电平转换模块和电压放电模块，/n所述电压检测模块的一端与电源相连接，所述电压检测模块的另一端接地，所述电压检测模块用于检测电源电压是否低于阈值电压，并当检测到所述电源电压低于所述阈值电压时，将低电平输出至所述电平转换模块，/n所述电平转换模块的一端与所述Flash存储器的擦写高电压端相连接，所述电平转换模块的另一端接地，所述电平转换模块用于当接收到所述电压检测模块输出的所述低电平时，将所述低电平转换为放电电压，并将所述放电电压提供至所述电压放电模...
【技术特征摘要】
1.一种嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路，其特征在于，所述嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路包括依次连接的电压检测模块、电平转换模块和电压放电模块，
所述电压检测模块的一端与电源相连接，所述电压检测模块的另一端接地，所述电压检测模块用于检测电源电压是否低于阈值电压，并当检测到所述电源电压低于所述阈值电压时，将低电平输出至所述电平转换模块，
所述电平转换模块的一端与所述Flash存储器的擦写高电压端相连接，所述电平转换模块的另一端接地，所述电平转换模块用于当接收到所述电压检测模块输出的所述低电平时，将所述低电平转换为放电电压，并将所述放电电压提供至所述电压放电模块，
所述电压放电模块的一端与所述Flash存储器的擦写高电压端相连接，所述电压放电模块的另一端接地，所述电压放电模块用于当接收到所述电压检测模块输出的所述放电电压时，将所述Flash存储器的擦写高电压端的擦写高电压泄放掉。
2.根据权利要求1所述的嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路，其特征在于，
所述电压检测模块还用于当检测到所述电源电压未低于所述阈值电压时，将高电平输出至所述电平转换模块，
所述电平转换模块还用于当接收到所述电压检测模块输出的所述高电平时，将所述高电平转换为截止电压，并将所述截止电压提供至所述电压放电模块，所述截止电压大于所述放电电压，
所述电压放电模块还用于当接收到所述电压检测模块输出的所述截止电压时，所述Flash存储器的擦写高电压端的擦写高电压被保持。
3.根据权利要求1所述的嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路，其特征在于，所述电压检测模块包括电阻分压电路，所述电阻分压电路包括第一电阻和第二电阻，
其中所述第一电阻的一端与所述电源相连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端相连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第一电阻与所述第二电阻的连接点作为所述电压检测模块的输出端。
4.根据权利要求1所述的嵌入式Flash存储器擦写电压处理电路，其特征在于，所述电平转换模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和反相器，
其中所述第一PMOS管的源极以及所述第二PMOS管的源极均与所述Flash存储器的擦写高电压端相连接，所述第一PMOS管的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：王于波，周芝梅，万勇，严莉，刘荫，张悦，冯晨，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，国家电网有限公司，国网山东省电力公司信息通信公司，国网思极紫光青岛微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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