一种MOS管、存储单元、存储器及电子设备制造技术

本申请提出一种MOS管、存储单元、存储器及电子设备，该MOS管中的浮动栅上设置至少一个凹槽，凹槽与漏极或源极间形成隧穿通道。所有凹槽可均与漏极之间形成隧穿通道，也可均与源极间形成隧穿通道。还可部分凹槽与漏极之间形成隧穿通道，剩余部分凹槽与源极之间形成隧穿通道。对于凹槽位置不同的MOS管，按恰当的接线方式进行接线构成存储单元。该存储单元仅包括一个MOS管，即可实现读取、写入和擦除操作，减少了一个MOS管，增加了器件集成度，降低了成本。在写入及擦除过程中，仅需要输入一个脉冲信号即可，减少了高压脉冲信号的输入，增加了器件的可靠性。且写入和擦除操作所需时间短，速度快，氧化层不易击穿，能延长器件使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管、存储单元、存储器及电子设备
本申请属于半导体
，具体涉及一种MOS管、存储单元、存储器及电子设备。
技术介绍
半导体存储器是一种能存储大量二进制码信息的半导体器件，从存、取功能上可以将半导体存储器分为只读存储器及随机存储器两大类。在只读存储器中，可擦除的可编程只读存储器因其可修改且简单的外围电路特性，吸引了大量研究者的关注。目前，可利用电学擦除的可编程只读存储器，即通常所说的E2PROM(Electrically-ErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电子抹除式可复写只读存储器)，在E2PROM的一个存储单元中，除了利用一个浮栅隧道氧化层MOS(MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体)管，还需要一个普通的MOS管。另外，对E2PROM的存储单元进行擦除或写入都需要在两端输入高电位脉冲，对器件可靠性提出了严峻的挑战。上述E2PROM的一个存储单元中需要两个MOS管，存储单元结构复杂，成本高，且需要在存储单元中输入两个高电位脉冲，输入电压高，易损坏器件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管，包括漏极、源极和栅极，所述栅极包括浮动栅，其特征在于，所述浮动栅上设置有至少一个凹槽，所述凹槽与所述漏极或所述源极之间形成隧穿通道。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOS管，包括漏极、源极和栅极，所述栅极包括浮动栅，其特征在于，所述浮动栅上设置有至少一个凹槽，所述凹槽与所述漏极或所述源极之间形成隧穿通道。


2.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述浮动栅上靠近所述漏极的一侧设置有所述凹槽，该凹槽对应的隧穿通道包括该凹槽的底面、所述漏极的上表面及所述凹槽与所述漏极之间的介质层。


3.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述浮动栅上靠近所述源极的一侧设置有所述凹槽，该凹槽对应的隧穿通道包括该凹槽的底面、所述源极的上表面及所述凹槽与所述源极之间的介质层。


4.根据权利要求2或3所述的MOS管，其特征在于，所述介质层的厚度范围在1-10um之间。


5.根据权利要求1-3任一项所述的MOS管，其特征在于，所述MOS管为N型MOS管或P型MOS管。


6.一种存储单元，包括位线、字线和地线，其特征在于，还包括一个权利要求1-5任一项所述的MOS管；
所述MOS管的栅极与所述字线连接；
所述MOS管的源极和漏极两个电极中形成所述隧穿通道的任一电极与所述位线连接，剩余的另一电极与所述地线连接。


7.根据权利要求6所述的存储单元，其特征在于，所述MOS管的浮动栅上靠近所述源极的一侧和靠近所述漏极的一侧均设置有所述凹槽；
所述MOS管为N型MOS管，所述存储单元还包括第一二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘利书，冯宇翔，
申请(专利权)人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44