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本申请提出一种MOS管、存储单元、存储器及电子设备，该MOS管中的浮动栅上设置至少一个凹槽，凹槽与漏极或源极间形成隧穿通道。所有凹槽可均与漏极之间形成隧穿通道，也可均与源极间形成隧穿通道。还可部分凹槽与漏极之间形成隧穿通道，剩余部分凹槽与源...该专利属于广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司授权不得商用。