【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器，特别涉及一种存储器的擦除方法、存储器件及存储设备。
技术介绍
1、随着科技的发展，存储器的应用也越来越广泛，以闪存存储器为例，闪存(flashmemory)存储器是一种非易失性或非挥发性(简单地说就是在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的半导体存储器。它具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。闪存存储器的数据信息存储在存储单元中。
2、但闪存存储器随着使用次数的增多，在进行擦除操作时，擦除速度越来越慢，擦除所用时间也越来越长。其原因为随着使用次数的增多，其存储区块内部的存储单元的阈值电压变大。此外，当擦除能力不够时，也可能存在存储单元的阈值电压无法擦除到合适的阈值电压，无法完成对存储单元的擦除操作的情况。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本申请提供一种存储器的擦除方法、存储器件及存储设备，用以提高对存储器的存储区块的擦除能力，改善存储器擦除操作时间长的问题。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：...
【技术保护点】
1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述基于所述循环次数对当前擦除操作的擦除电压进行配置的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的擦除方法，其特征在于，所述擦除电压包括初始擦除电压，所述步增电压包括第一步增电压；所述基于所述预设擦除电压、所述步增电压及所述循环次数配置所述当前擦除操作中擦除子操作的擦除电压的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的擦除方法，其特征在于，所述擦除电压包括多个擦除子电压，所述步增电压包括第二步增电压，所述基于所述预设擦除电压、所述步增电压及所述循环次数配...
【技术特征摘要】
1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述基于所述循环次数对当前擦除操作的擦除电压进行配置的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的擦除方法，其特征在于，所述擦除电压包括初始擦除电压，所述步增电压包括第一步增电压；所述基于所述预设擦除电压、所述步增电压及所述循环次数配置所述当前擦除操作中擦除子操作的擦除电压的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的擦除方法，其特征在于，所述擦除电压包括多个擦除子电压，所述步增电压包括第二步增电压，所述基于所述预设擦除电压、所述步增电压及所述循环次数配置所述当前擦除操作中擦除子操作的擦除电压的步骤，还包括：
5.根据权利要求2所述的擦除方法，其特征在于，所述获取预设擦除电压及步增电压的步骤，包括：
6.根据权利要求3所述的擦除方法，其特征在于，所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘姑城，朱长峰，贺元魁，
申请(专利权)人：合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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