存储器系统技术方案

实施方式提供一种高性能的存储器系统。实施方式的存储器系统具备包含存储单元晶体管的存储装置及控制器。控制器构成为，设为不将存储单元晶体管中的第1数据删除则无法从存储器系统的外部参考第1数据的状态，在决定对存储单元晶体管写入数据之前，使存储单元晶体管的阈值电压上升。控制器构成为，在决定对存储单元晶体管写入第2数据之后，降低存储单元晶体管的阈值电压设为删除状态，在将存储单元晶体管设为删除状态之后，对存储单元晶体管写入第2数据。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2019-170691号(申请日：2019年9月19日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
本实施方式总体来说涉及存储器系统。
技术介绍
已知有包含存储装置与控制存储装置的控制器的存储器系统。
技术实现思路
本专利技术要解决的课题在于提供一种高性能的存储器系统。实施方式的存储器系统具备包含存储单元晶体管的存储装置、及控制器。控制器构成为，设为不将存储单元晶体管中的第1数据删除则无法从存储器系统的外部参考第1数据的状态。控制器构成为，在决定对存储单元晶体管写入数据之前，使存储单元晶体管的阈值电压上升。控制器构成为，在决定对存储单元晶体管写入第2数据之后，降低来自存储单元晶体管的阈值电压设为删除状态。控制器构成为，在使存储单元晶体管为删除状态之后，对存储单元晶体管写入第2数据。附图说明图1是表示第1实施方式的存储器系统中的要素及连接、以及关联的要素的框图。图2表示第1实施方式的区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，具备包含存储单元晶体管的存储装置及控制器，/n所述控制器构成为，/n设为不将所述存储单元晶体管中的第1数据删除则无法从所述存储器系统的外部参考所述第1数据的状态，/n在决定对所述存储单元晶体管写入数据之前，使所述存储单元晶体管的阈值电压上升，/n在决定对所述存储单元晶体管写入第2数据之后，降低所述存储单元晶体管的阈值电压设为删除状态，/n在将所述存储单元晶体管设为所述删除状态之后，对所述存储单元晶体管写入所述第2数据。/n

【技术特征摘要】
20190919 JP 2019-1706911.一种存储器系统，具备包含存储单元晶体管的存储装置及控制器，
所述控制器构成为，
设为不将所述存储单元晶体管中的第1数据删除则无法从所述存储器系统的外部参考所述第1数据的状态，
在决定对所述存储单元晶体管写入数据之前，使所述存储单元晶体管的阈值电压上升，
在决定对所述存储单元晶体管写入第2数据之后，降低所述存储单元晶体管的阈值电压设为删除状态，
在将所述存储单元晶体管设为所述删除状态之后，对所述存储单元晶体管写入所述第2数据。


2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中
设为无法从所述存储器系统的外部参考所述第1数据的状态包含将分配至所述第1数据的第1类型地址与所述存储单元晶体管的关联解除。


3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中
所述控制器进而构成为，设为当从外部接收所述第1数据的删除请求时，无法从所述存储器系统的外部参考所述第1数据的状态。


4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中
所述控制器进而构成为，当从外部接收所述第2数据的写入请求时，决定对所述存储单元晶体管写入所述第2数据。


5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中
所述存储装置含有包含所述存储单元晶体管的第1存储区域，
所述存储装置进而构成为，
将保存在所述第1存储区域的数据一起删除，
当决定将保存在所述第1存储区域的数据删除...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木慎二，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP