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一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。...
该专利属于三星电子株式会社;哈佛大学的校长及成员们所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;哈佛大学的校长及成员们授权不得商用。

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