一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法技术

本申请提供一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，其中所述存储器包括多个存储器单元，包括：从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所述预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元；根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压。

【技术实现步骤摘要】
一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法
本申请涉及一种存储器的操作方法，还涉及一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法。
技术介绍
相变存储器(PhaseChangeMemory，简称为PCM)是一种半导体存储器，具有集成度高、功耗低、速度快、耐磨损和非易失等特点。相变存储器为闪存(flash)之外的另一种非易失性存储器。相变存储器的基本原理是将电脉冲信号施加到存储器的单元上，使相变材料在非晶态与晶态之间发生相变，通过分辨非晶态时的高电阻与晶态时的低电阻，可以实现信息的写入、擦除和读取操作。相变存储器的单元(Cell)以电阻的形式存储数据。由于相变存储单元的阈值电压(VTH)会随着温度的改变发生偏移，因此存在可靠性问题。图1A为相变存储器在不同温度下发生阈值电压漂移的图表。如图1A所示，横轴表示阈值电压，纵轴表示阈值电压的分布，实线表示室温下的阈值电压分布情况，虚线表示高温下的阈值电压分布情况。不论室温还是高温环境下，阈值电压均呈正态分布。具体地，在室温下，晶态的相变存储器单元的阈值电压分布如实线101本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，其中所述存储器包括多个存储器单元，其特征在于，包括：/n从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所述预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；/n将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元；/n根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及/n根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，其中所述存储器包括多个存储器单元，其特征在于，包括：
从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所述预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；
将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元；
根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及
根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在从所述多个存储器单元选择预定的存储器单元的步骤之后，还包括：
向所述预定的存储器单元中的一部分存储单元施加第一预处理电信号，使得所述一部分存储单元处于晶态；以及
向所述预定的存储器单元中的另一部分存储单元施加第二预处理电信号，使得所述另一部分存储单元处于非晶态。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述处于晶态的存储单元和所述处于非晶态的存储单元之间的数量差小于等于所述处于晶态的存储单元和所述处于非晶态的存储单元的数量和的15％。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：
从所述多个存储器单元中选择处于空闲状态的存储器单元作为所述预定的存储器单元。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述递增的多个测量电压为等差递增的多个测量电压。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、......、第m测量电压、......、和第n测量电压，其中，所述递增的多个测量电压之间的递增额按照从所述第1测量电压至所述第m测量电压减小而从所述第m测量电压至所述第n测量电压增加的规律变化。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、第2测量电压、第3测量电压、......第m-1测量电压、第m测量电压、第m+1测量电压、……、第n-2测量电压、第n-1测量电压和第n测量电压，其中，所述第1测量电压、所述第2测量电压和所述第3测量电压之间的递增额为第一差额，所述第m-1测量电压、所述第m测量电压和所述第m+1测量电压之间的递增额为第二差额，所述第n-2测量电压、所述第n-1测量电压和所述第n测量电压之间的递增额为第一差额，所述第一差额大于所述第二差额。


8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：
从所述多个存储器单元中选择等于所述测量电压的数量的存储器单元作为所述预定的存储器单元。


9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元的步骤包括：
将递增的多个测量电压分别施加至所述预定的存储器单元。


10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据来自所述预定的存储器单元的处于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张德玉，董祖奇，李建平，付祥，王颀，刘峻，鞠韶复，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42