【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种，特别是关于一种以相同的BIOS程序即可供内存控制器存取DDR-I DRAMDIMM或DDR-II DRAM DIMM的。
技术介绍
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory；DRAM)因具有储存容量大及成本低的特性，因此，许多电子产品(例如桌上型计算机、笔记本型计算机、服务器或工作站等)均采用其当作最佳的内存解决方案，更是电子产品不可或缺的零件。再者，为提高DRAM的传输速度，因此DRAM业者也不断地推出不同的DRAM，例如DDR-I(Double Data Rate-I)DRAM和DDR-IIDRAM，并通过双重内嵌式内存模块(Dual In-line Memory Modules；DIMM)插槽(Slot)，将这两种DRAM DIMM插入基板(Base Board)上，一般而言，不同的DRAM(即DDR-I DRAM或DDR-II DRAM)DIMM即具有对应的DIMM插槽。为配合DDR-I DRAM DIMM(以下简称DDR-I DIMM)及DDR-IIDRAM DIMM(以下简称DDR-II D...
【技术保护点】
一种动态随机存取存储器的存取控制方法，应用在设有至少一第一规格ＤＲＡＭ模块插槽及至少一第二规格ＤＲＡＭ模块插槽中一种规格的插槽、内存控制器及基本输入输出系统程序的基板，供该基板对安装在该第一规格ＤＲＡＭ模块插槽的第一ＤＲＡＭ模块及安装在第二规格ＤＲＡＭ模块插槽的第二ＤＲＡＭ模块中的一种ＤＲＡＭ模块进行存取控制，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：令该ＢＩＯＳ程序预存第一ＤＲＡＭ模块及第二ＤＲＡＭ模块相关数据；令该基板根据该ＢＩＯＳ程序执行内存初始化程序； 令该内存控制器在内存初始化程序中，对该基板上所设的ＤＲＡＭ模块插槽进行存取，并...
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器的存取控制方法，应用在设有至少一第一规格DRAM模块插槽及至少一第二规格DRAM模块插槽中一种规格的插槽、内存控制器及基本输入输出系统程序的基板，供该基板对安装在该第一规格DRAM模块插槽的第一DRAM模块及安装在第二规格DRAM模块插槽的第二DRAM模块中的一种DRAM模块进行存取控制，其特征在于，该方法至少包括以下步骤令该BIOS程序预存第一DRAM模块及第二DRAM模块相关数据；令该基板根据该BIOS程序执行内存初始化程序；令该内存控制器在内存初始化程序中，对该基板上所设的DRAM模块插槽进行存取，并通过DRAM模块I2C地址读取DRAM模块储存的内存型号字段的资料值，得以判断安装在该DRAM模块插槽是第一DRAM模块及第二DRAM模块中的一种DRAM模块；以及令该内存控制器以该DRAM模块自该BIOS程序读取与该DRAM模块对应的DRAM模块相关资料，供内存控制器根据读取到的DRAM模块相关资料，对安装在该DRAM模块插槽中的DRAM模块进行存取控制。2....
【专利技术属性】
技术研发人员：卢盈志，余亮宏，
申请(专利权)人：英业达股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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