【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纳米线的选择性蚀刻相关申请的交叉引用本申请要求于2018年10月3日申请的美国专利申请No.62/740,806的优先权利益，其通过引用合并于此以用于所有目的。
本公开内容涉及在半导体晶片上形成半导体装置的方法。更具体来说，本公开内容涉及纳米线的选择性蚀刻。
技术介绍
在形成半导体装置时，可通过相对于硅(Si)而选择性地蚀刻硅锗(SiGe)，以形成纳米线。也可以通过相对于SiGe而选择性地蚀刻Si，以形成纳米线。
技术实现思路
为了实现前述内容并且根据本公开的目的，提供了一种在堆叠件中相对于第二材料层而选择性蚀刻第一材料层的方法，其中所述第一材料层与所述第二材料层交替呈现。相对于所述第二材料层部分地蚀刻所述第一材料层。在所述堆叠件上选择性沉积沉积层，其中所述沉积层的覆盖在所述第二材料层上的部分比所述沉积层的覆盖在所述第一材料层上的部分厚。所述选择性沉积包含：提供第一反应物，其中所述第一反应物中的一些沉积在所述堆叠件上；清扫掉所述第一反应物中的一些，其中一些未沉积的第一反应物未被清扫掉；以及...
【技术保护点】
1.一种在堆叠件中相对于第二材料层而选择性蚀刻第一材料层的方法，其中所述第一材料层与所述第二材料层交替呈现，其包含：/n相对于所述第二材料层部分地蚀刻所述第一材料层；/n在所述堆叠件上选择性沉积沉积层，其中所述沉积层的覆盖在所述第二材料层上的部分比所述沉积层的覆盖在所述第一材料层上的部分厚，所述选择性沉积包含：/n提供第一反应物，其中所述第一反应物中的一些沉积在所述堆叠件上；/n清扫掉所述第一反应物中的一些，其中一些未沉积的第一反应物未被清扫掉；以及/n提供第二反应物，其中所述未沉积的第一反应物与所述第二反应物结合，其中所结合的所述未沉积的第一反应物与第二反应物便相对于所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181003 US 62/740,8061.一种在堆叠件中相对于第二材料层而选择性蚀刻第一材料层的方法，其中所述第一材料层与所述第二材料层交替呈现，其包含：
相对于所述第二材料层部分地蚀刻所述第一材料层；
在所述堆叠件上选择性沉积沉积层，其中所述沉积层的覆盖在所述第二材料层上的部分比所述沉积层的覆盖在所述第一材料层上的部分厚，所述选择性沉积包含：
提供第一反应物，其中所述第一反应物中的一些沉积在所述堆叠件上；
清扫掉所述第一反应物中的一些，其中一些未沉积的第一反应物未被清扫掉；以及
提供第二反应物，其中所述未沉积的第一反应物与所述第二反应物结合，其中所结合的所述未沉积的第一反应物与第二反应物便相对于所述第一材料层而选择性沉积在所述第二材料层上，且其中所述第二反应物中的一些与所述沉积的第一反应物反应，以形成所述沉积层的一部分；以及
所述相对于所述第二材料层选择性地蚀刻所述第一材料层，以完全移除所述第一材料层，其中所述第二材料层受到所述沉积层保护。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述相对于所述第二材料层部分地蚀刻所述第一材料层包含：
提供蚀刻气体；以及
使所述蚀刻气体转化成等离子体，其中所述等离子体相对于所述第二材料层选择性蚀刻所述第一材料层，以产生第一材料凹陷层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中与所述第二反应物结合的所述未沉积的第一反应物相对于所述第一材料层而选择性沉积于所述第二材料层上，以提供非保形的所述沉积层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料为SiGe，而所述第二材料为Si。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述相对于所述第二材料层选择性地蚀刻所述第一材料层包含：提供原子层蚀刻工艺。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述原子层蚀刻工艺包含多个循环，其中每一循环包含：
氧化阶段，其中所述氧化阶段相对于所述第一材料层而选择性地氧化所述第二材料层；
蚀刻阶段，其相对于所述氧化的第二材料层而选择性地蚀刻所述第一材料层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中部分地蚀刻所述层包含：提供原子层蚀刻工艺。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述原子层蚀刻工艺包含多个循环，其中每一循环包含：
氧化阶段，其中所述氧化阶段相对于所述第一材料层而选择性地氧化所述第二材料层；
蚀刻阶段，其中所述蚀刻阶段相对于所述氧化的第二材料层而选择性地蚀刻所述第一材料层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料为Si，而所述第二材料为SiGe。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物为含硅前体，而所述第二反应物为氧化气体，其中所述未沉积的第一反应物为未沉积的含硅前体，其中所述未沉积的含硅前体与所述氧化气体反应，以形成未沉积的硅氧化物，其中所述未沉积的硅氧化物选择性沉积于所述第二材料层上。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述相对于所述第二材料层选择性地蚀刻所述第一材料层以完全移除所述第一材料层包含：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛君，萨曼莎·西亚姆华·坦，莫汉德·布鲁里，李元慧，丹尼尔·彼得，亚历山大·卡班斯凯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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