间隔物刻蚀工艺制造技术

提供了用于处理工件的系统和方法。在一个实施例中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑体上。工件具有至少一个材料层和其上的至少一种结构。该方法包括允许工艺气体进入等离子体腔室中，由工艺气体产生一种或多种物质，并且过滤所述一种或多种物质以产生过滤后的混合物。该方法还包括向偏压电极提供射频功率以产生第二混合物，并且将工件暴露于第二混合物以刻蚀材料层的至少一部分并且在材料层的至少一部分上形成膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】间隔物刻蚀工艺优先权本申请要求2019年8月30日提交的名称为“间隔物刻蚀工艺(SPACERETCHINGPROCESS)”的美国临时申请第62/894,092号的优先权权益，该申请通过引用并入本申请以用于所有目的。
本公开总体涉及例如半导体工件等工件的处理。
技术介绍
半导体工件的处理可以包括在衬底上沉积和去除不同的材料层。随着半导体器件关键尺寸的缩小，器件尺寸和材料厚度不断减小。在先进的器件节点中，对其它材料具有高选择性的材料去除可能对半导体器件的性能而言越来越重要。自对准多重图案化技术(例如，自对准双重图案化(SADP)、自对准四重图案化(SAQP))可以实现具有传统光刻工具分辨率的减小的特征尺寸。
技术实现思路
本公开的实施方式的方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，或者可以从描述中了解，或者可以通过实施方式的实践来了解。本公开的一个示例性方面涉及一种用于处理工件的方法。工件可以包括至少一个间隔物层和至少一个芯轴结构。该方法可以包括等离子体设备，该等离子体设备包含具有可操作以容纳工艺气体的内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在等离子体处理设备中处理工件的方法，所述等离子体处理设备包括具有可操作以容纳工艺气体的内部的等离子体腔室和具有可操作以支撑工件的工件支撑体的处理腔室，其中，所述工件包括至少一个间隔物层和至少一种芯轴结构，并且其中所述等离子体处理设备包括围绕所述等离子体腔室布置的感应线圈和布置在所述工件支撑体中的偏压电极，所述方法包括：/n将所述工件放置在所述处理腔室中的所述工件支撑体上；/n允许工艺气体进入所述等离子体腔室中，所述工艺气体包含含氟气体和聚合物形成气体；/n向所述感应线圈提供射频功率以由所述工艺气体产生第一等离子体，从而产生第一混合物，所述第一混合物包括一种或多种第一物质；/n过滤所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190830 US 62/894,0921.一种用于在等离子体处理设备中处理工件的方法，所述等离子体处理设备包括具有可操作以容纳工艺气体的内部的等离子体腔室和具有可操作以支撑工件的工件支撑体的处理腔室，其中，所述工件包括至少一个间隔物层和至少一种芯轴结构，并且其中所述等离子体处理设备包括围绕所述等离子体腔室布置的感应线圈和布置在所述工件支撑体中的偏压电极，所述方法包括：
将所述工件放置在所述处理腔室中的所述工件支撑体上；
允许工艺气体进入所述等离子体腔室中，所述工艺气体包含含氟气体和聚合物形成气体；
向所述感应线圈提供射频功率以由所述工艺气体产生第一等离子体，从而产生第一混合物，所述第一混合物包括一种或多种第一物质；
过滤所述一种或多种第一物质以产生过滤后的混合物；
向所述偏压电极提供射频功率以在所述处理腔室中在所述过滤后的混合物中产生第二等离子体，从而产生第二混合物，所述第二混合物包括一种或多种第二物质；以及
将所述工件暴露于所述第二混合物，以刻蚀所述工件的至少一个间隔物层的至少一部分，并且在所述至少一个间隔物层的至少一部分上形成聚合物层。


2.如权利要求1所述的方法，其中，所述含氟气体包含CF4、NF3、SF6。


3.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物形成气体包含CH4、CH3F或H2。


4.如权利要求1所述的方法，其中，所述工艺气体还包含稀释气体，其中所述稀释气体包含Ar、He、N2、O2及它们的混合物。


5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二混合物包含CxHyFz，其中x大于或等于1且小于或等于10，其中y大于或等于1且小于或等于10，其中z大于或等于1且小于或等于10。


6.如权利要求1所述的方法，其中，将所述工件暴露于所述第二混合物会在所述至少一个间隔物层上形成聚合物层。


7.如权利要求1所述的方法，还包括向所述偏压电极提供直流偏压。


8.如权利要求7所述的方法，其中，向所述偏压电极提供直流偏压使所述一种或多种物质从所述第二混合物向所述工件加速。


9.如权利要求7所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋采文，C·闫，杨晓晅，
申请(专利权)人：玛特森技术公司，北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US