一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件技术

本发明专利技术提供一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括介质层，介质层上开设有双角度形貌沟槽，双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，第一底壁与侧壁之间通过斜面连接，第一底壁与侧壁之间的夹角为第一夹角，第一底壁与斜面之间的夹角为第二夹角，第一夹角为直角或钝角，第二夹角为钝角，第二夹角大于第一夹角。该氮化镓半导体器件能够降低沟槽底壁与侧壁连接处的应力，同时可避免蚀刻残渣去除不干净问题。

【技术实现步骤摘要】
一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件
本专利技术涉及半导体
，具体地说，是涉及一种在半导体的介质层上形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件。
技术介绍
作为第三代半导体材料的典型代表，宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能，是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料，在民用和商用领域具有广阔的应用前景。为了让后续工艺有更高的可靠性，不同的氧化蚀刻沟槽轮廓(OxideEtchtrenchprofile)可以带来更大的工艺弹性及窗口，如图1，现有的沟槽轮廓从底端到顶端为一个角度，过程中没有齿廓角(profileangle)的变化，不能满足需要更大工艺弹性及窗口的要求。此外，常规的沟槽底部尖角为应力集中区，容易引起电学性能异常及可靠性失效的问题。
技术实现思路
本专利技术的第一目的是提供一种能够降低沟槽底壁与侧壁连接处的应力，同时可避免蚀刻残渣去除不干净问题的氮化镓半导体器件。本专利技术的第二目的是提供一种在半导体的介质层上形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法，该蚀刻方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括介质层，所述介质层上开设有双角度形貌沟槽，所述双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，所述第一底壁与所述侧壁之间通过斜面连接，所述第一底壁与所述侧壁之间的夹角为第一夹角，所述第一底壁与所述斜面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角为直角或钝角，所述第二夹角为钝角，所述第二夹角大于所述第一夹角。/n

【技术特征摘要】
1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括介质层，所述介质层上开设有双角度形貌沟槽，所述双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，所述第一底壁与所述侧壁之间通过斜面连接，所述第一底壁与所述侧壁之间的夹角为第一夹角，所述第一底壁与所述斜面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角为直角或钝角，所述第二夹角为钝角，所述第二夹角大于所述第一夹角。


2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述侧壁采用电感耦合等离子体刻蚀的方法形成。


3.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一底壁和所述斜面采用反应离子刻蚀的方法形成。


4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一夹角大于或等于100度，所述第二夹角大于或等于135度。


5.一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法，其特征在于，包括：
在半导体的介质层上形成图案化的光刻胶层；
进行一次蚀刻，形成单角度形貌沟槽，所述单角度形貌沟槽设置有第二底壁和侧壁，所述第二底壁与所述侧壁之间的夹角为第一夹角；
进行二次蚀刻，形成双角...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳爵，张礼杰，张啸，谢文元，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44