【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用沉积工艺和刻蚀工艺的工件处理优先权声明本申请要求2019年7月17日提交的名称为“ProcessingOfWorkpiecesUsingDepositionProcessandEtchProcess(使用沉积工艺和刻蚀工艺的工件处理)”的系列号为62/875,104的美国临时申请的优先权权益，其通过引用并入本文以用于全部目的。本申请要求2020年3月17日提交的名称为“SelectiveSiNLateralRecessWithByproduct-EnabledVerticalLoadingControl(具有副产物功能的竖直加载控制的选择性SiN横向凹槽)”的系列号为62/990,752的美国临时申请的优先权权益，其通过引用并入本文以用于全部目的。本申请要求于2020年3月31日提交的名称为“SelectiveSiNLateralRecessWithByproduct-EnabledVerticalLoadingControl(具有副产物功能的竖直加载控制的选择性SiN横向凹槽)”的系列号为63/002,488的美国临时申请的优先权权益，其通过引...
【技术保护点】
1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括高纵横比结构，所述高纵横比结构包括以交替方式布置的多个氮化硅层和多个二氧化硅层，所述方法包括：/n将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上；/n进行沉积工艺以在所述多个二氧化硅层中至少一个层的表面上沉积钝化层，其中，所述沉积工艺包括将所述工件暴露于在沉积等离子体中由沉积工艺气体产生的自由基；/n以比所述多个二氧化硅层的刻蚀速率大的刻蚀速率进行刻蚀工艺以横向地去除所述多个氮化硅层的至少一部分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190717 US 62/875,104;20200317 US 62/990,752;20201.一种用于处理工件的方法，所述工件包括高纵横比结构，所述高纵横比结构包括以交替方式布置的多个氮化硅层和多个二氧化硅层，所述方法包括：
将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上；
进行沉积工艺以在所述多个二氧化硅层中至少一个层的表面上沉积钝化层，其中，所述沉积工艺包括将所述工件暴露于在沉积等离子体中由沉积工艺气体产生的自由基；
以比所述多个二氧化硅层的刻蚀速率大的刻蚀速率进行刻蚀工艺以横向地去除所述多个氮化硅层的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层包括碳氟聚合物、氢氟碳聚合物、条状氟化硅铵盐或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括循环地交替所述沉积工艺和所述刻蚀工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个氮化硅层的刻蚀速率与所述多个二氧化硅层的刻蚀速率之比大于约500。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，进行所述沉积工艺以在所述多个二氧化硅层上沉积所述钝化层包括：
使用在等离子体腔室中诱导的等离子体由沉积工艺气体产生一种或多种物质，其中通过感应耦合的等离子体源诱导所述等离子体；
过滤所述一种或多种物质以产生过滤的沉积混合物；和
使所述多个二氧化硅层暴露于所述过滤的沉积混合物中。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，过滤所述一种或多种物质以产生过滤的沉积混合物包括：通过将所述等离子体腔室与所述处理腔室隔开的隔栅来过滤所述一种或多种物质。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述沉积工艺气体包括含氟气体，所述含氟气体包括四氟甲烷(CF4)、二氟甲烷(CH2F2)、氟甲烷(CH3F)、氟仿(CHF3)或四氟乙烯(C2F4)。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述沉积工艺气体包括含氢气体，所述含氢气体包括氢气(H2)、甲烷(CH4)或氨气(NH3)。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，以比所述多个二氧化硅层的刻蚀速率大的刻蚀速率进行所述刻蚀工艺以横向地去除所述多个氮化硅层的至少一部分包括：
使用在等离子体腔室中诱导的等离子体由刻蚀工艺气体产生一种或多种物质，其中通过感应耦合的等离子体源诱导所述等离子体；
过滤所述一种或多种物质以产生过滤的刻蚀混合物；和
将所述多个氮化硅层暴露于所述过滤的刻蚀混合物中，以比所述多个二氧化硅层的刻蚀速率大的刻蚀速率，以横向地去除所述多个氮化硅层的至少一部分。
10.根据权利要求10所述的方法，其中，过滤所述一种或多种物质以产生过滤的刻蚀混合物包括通过将所述等离子体腔室与...
【专利技术属性】
技术研发人员：王善禹，C·闫，仲華，杨晓晅，宋采文，张祺，
申请(专利权)人：玛特森技术公司，北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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