【技术实现步骤摘要】
自加热效应参数的提取装置以及提取方法
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种自加热效应参数的提取装置以及提取方法。
技术介绍
随着集成电路的工艺迭代，片上工艺晶体管集成度越来越高，但集成电路功耗却不能满足对应比例的缩减，因此导致集成电路比较严重的功率耗散问题，即所谓的“功耗墙”。随着集成电路走向深亚微米工艺，传统的体硅制造工艺由于日益增长的栅极隧穿漏电、短沟道效应、静态功耗增长等问题，已不适用于28nm之后的产业要求。因此目前主流而被广泛接受的实用制作工艺为鳍型场效应管(FinFET)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)。虽然两种工艺都通过体区耗尽技术达到提升栅极控制能力和载流子迁移率的目的，但大量的绝缘介质使用造成热耗散问题愈加严重，因此器件自身工作带来的温度变化在当前先进工艺中必须得到建模表征，以防止出现设计者对设计的预估错误导致最终的设计失败。实际上，工业界对自加热效应已经有了较为一致的认识并运用在了实用模型中，但对自加热效应参数的提取方法却没能有行之有效的方法。目前业界的提取方法主要分为三类，一类为...
【技术保护点】
1.一种自加热效应参数的提取装置，其特征在于，包括一环形振荡器，所述环形振荡器包括；/n多个反相器，通过电阻彼此串接，所述反相器背栅或体区引出作为偏置端口；/n每个反相器的输出端与地之间连接一电容，用以增加时间延时。/n
【技术特征摘要】
1.一种自加热效应参数的提取装置，其特征在于，包括一环形振荡器，所述环形振荡器包括；
多个反相器，通过电阻彼此串接，所述反相器背栅或体区引出作为偏置端口；
每个反相器的输出端与地之间连接一电容，用以增加时间延时。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述环形振荡器的背栅或体区的引出是NMOS以及PMOS中的一个或两者都引出。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容选自于可调电容、集成电容、以及外部电容中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，输出端通过一分频器引出。
5.一种自加热效应参数的提取方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供权利要求1所述的自加热效应参数的提取装置；
执行多次不同振荡频率下...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，葛浩，吕迎欢，谢甜甜，王青，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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