双向击穿硅控整流器制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及双向硅控整流器(SCR)及制造方法。该结构包括：多个扩散区域；与扩散区域相邻的多个p型(P+)阱，其中P+阱直接连接；以及与P+阱相邻的多个n型(N+)阱。

【技术实现步骤摘要】
双向击穿硅控整流器
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及双向击穿硅控整流器(SCR)及制造方法。
技术介绍
随着半导体器件不断按比例缩小(例如收缩)，特征间的期望间隔(即，间距)也在变小。为此，在较小的技术节点中，器件变得更容易受到外部应力的影响。这样，要制造具有保证稳健芯片的特定特征的器件由于关键尺寸(CD)按比例缩放和处理能力以及用于制造这种结构的材料等原因而变得愈加困难。第五代(5G)网络技术实现在网络内用于在正负(+/-)电压之间切换的开关。诸如静电放电(ESD)的外部应力源可导致开关的问题。因此，这些开关需要防ESD保护以便于正常工作。为了解决ESD问题，常规解决方案将多个单向硅控整流器(SCR)与二极管串联在一起使用。该常规解决方案的问题是占用可能无法被提供的较大面积。此外，这些传统器件不为(+/-)电压窗口提供对称保护。这是因为常规器件具有彼此隔离的p型(P+)阱，由于隔离的P+阱处于不同电势，因此导致触发电压不一致。
技术实现思路
在本公开的一方面，一种结构包括：多个扩散区域；与所述扩散区域相邻的多个p本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结构，包括：/n多个扩散区域；/n与所述扩散区域相邻的多个p型(P+)阱，其中所述P+阱直接连接；以及/n与所述P+阱相邻的多个n型(N+)阱。/n

【技术特征摘要】
20191003 US 16/5920131.一种结构，包括：
多个扩散区域；
与所述扩散区域相邻的多个p型(P+)阱，其中所述P+阱直接连接；以及
与所述P+阱相邻的多个n型(N+)阱。


2.根据权利要求1所述的结构，其中所述多个N+阱直接连接。


3.根据权利要求1所述的结构，进一步包括与所述多个P+阱和所述多个N+阱相邻的浅沟槽隔离(STI)结构。


4.根据权利要求3所述的结构，其中所述多个N+阱通过所述STI结构而彼此隔离。


5.根据权利要求1所述的结构，进一步包括位于所述扩散区域和所述多个P+阱之间的结处的多个栅极结构。


6.根据权利要求5所述的结构，进一步包括位于所述栅极结构之间的硅化物块。


7.根据权利要求1所述的结构，进一步包括与所述多个N+阱相邻的公共P+阱。


8.根据权利要求7所述的结构，其中所述扩散区域包括P+区和N+区。


9.根据权利要求8所述的结构，进一步包括位于所述公共P+阱和所述P+区之间的结处的栅极结构。


10.根据权利要求9所述的结构，进一步包括位于所述栅极结构之间的硅化物块。


11.根据权利要求10所述的结构，其中，所述硅化物块位于所述公共P+阱和所述N+阱上方。


12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·米特拉，A·F·卢瓦索，R·J·戈希尔，李由，蔡东辰，
申请(专利权)人：格芯美国公司，
类型：发明
国别省市：美国;US