半导体器件制造技术

半导体器件可以包括在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置的标准单元。所述第一方向和所述第二方向均可以平行于所述衬底的上表面。每个所述标准单元可以包括半导体元件。所述半导体器件还可以包括位于两个标准单元之间的填充单元，并且每个所述填充单元可以包括填充有源区和连接到所述填充有源区且可以在所述第一方向上延伸的填充接触。所述半导体器件还可以包括电连接到至少一个所述半导体元件且可以在所述第二方向上延伸到至少一个所述填充单元中的下布线图案，并且所述填充接触可以包括低于所述下布线图案且连接到至少一个所述下布线图案的布线填充接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2020年1月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0007272和于2019年10月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0122523的优先权，上述所有韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术构思涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体器件可以包括设置在半导体衬底上的半导体元件和用于将半导体元件彼此连接的布线。随着半导体器件的集成密度增大，已经积极进行了减小这些布线的尺寸的研究。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施例提供了一种半导体器件，在所述半导体器件中，用于连接包括在标准单元中的半导体元件的布线被布局在标准单元之间的填充单元区域中。根据本专利技术构思的一些实施例，半导体器件可以包括在衬底上在第一方向和第二方向上布置的标准单元。所述第一方向和所述第二方向均可以平行于所述衬底的上表面，并且所述第二方向可以与所述第一方向相交。每个所述标准单元可以包括半导体元件以及可以电连接到至少一个所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n标准单元，所述标准单元在衬底上在第一方向和第二方向上布置，其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底的上表面，并且所述第二方向与所述第一方向相交，其中，每个所述标准单元包括半导体元件以及电连接到至少一个所述半导体元件并在所述第二方向上延伸的下布线图案；以及/n填充单元，所述填充单元位于所述衬底上，其中，每个所述填充单元位于所述标准单元中的在所述第二方向上彼此相邻的两个标准单元之间，并包括填充有源区以及连接到所述填充有源区并在所述第一方向上延伸的填充接触，/n其中，所述填充单元包括第一填充单元，所述第一填充单元位于所述标准单元中的在所述第二方向上...

【技术特征摘要】
20191002 KR 10-2019-0122523;20200120 KR 10-2020-001.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
标准单元，所述标准单元在衬底上在第一方向和第二方向上布置，其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底的上表面，并且所述第二方向与所述第一方向相交，其中，每个所述标准单元包括半导体元件以及电连接到至少一个所述半导体元件并在所述第二方向上延伸的下布线图案；以及
填充单元，所述填充单元位于所述衬底上，其中，每个所述填充单元位于所述标准单元中的在所述第二方向上彼此相邻的两个标准单元之间，并包括填充有源区以及连接到所述填充有源区并在所述第一方向上延伸的填充接触，
其中，所述填充单元包括第一填充单元，所述第一填充单元位于所述标准单元中的在所述第二方向上彼此相邻的第一标准单元和第二标准单元之间，并且
所述第一标准单元的所述下布线图案延伸到所述第一填充单元中并连接到所述第一填充单元的所述填充接触，并且所述第一填充单元的所述填充接触位于所述衬底与所述第一标准单元的所述下布线图案之间。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述标准单元还包括在所述第二方向上彼此相邻的第三标准单元和第四标准单元，并且所述填充单元还包括位于所述第三标准单元与所述第四标准单元之间的第二填充单元，并且
其中，所述第二填充单元的所述填充接触包括与所述第一标准单元的所述下布线图案、所述第二标准单元的所述下布线图案、所述第三标准单元的所述下布线图案和所述第四标准单元的所述下布线图案间隔开的虚设填充接触。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，
其中，所述标准单元还包括在所述第二方向上彼此相邻的第五标准单元和第六标准单元，并且所述填充单元还包括位于所述第五标准单元与所述第六标准单元之间的第三填充单元，
其中，所述第一填充单元的所述填充接触包括第一布线填充接触，并且每个所述第一布线填充接触连接到所述第一标准单元的所述下布线图案、所述第二标准单元的所述下布线图案、所述第三标准单元的所述下布线图案、所述第四标准单元的所述下布线图案、所述第五标准单元的所述下布线图案和所述第六标准单元的所述下布线图案中的至少一者，
所述第二填充单元的所述填充接触包括第二布线填充接触和第二虚设填充接触，所述第二布线填充接触连接到所述第一标准单元的所述下布线图案、所述第二标准单元的所述下布线图案、所述第三标准单元的所述下布线图案、所述第四标准单元的所述下布线图案、所述第五标准单元的所述下布线图案和所述第六标准单元的所述下布线图案中的至少一者，所述第二虚设填充接触与所述第一标准单元的所述下布线图案、所述第二标准单元的所述下布线图案、所述第三标准单元的所述下布线图案、所述第四标准单元的所述下布线图案、所述第五标准单元的所述下布线图案和所述第六标准单元的所述下布线图案间隔开，并且
所述第三填充单元包括第三虚设填充接触，所述第三虚设填充接触与所述第一标准单元的所述下布线图案、所述第二标准单元的所述下布线图案、所述第三标准单元的所述下布线图案、所述第四标准单元的所述下布线图案、所述第五标准单元的所述下布线图案和所述第六标准单元的所述下布线图案间隔开。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，包括在所述第一填充单元中的所述第一布线填充接触在所述第一方向上具有不同的长度。


5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，包括在所述第二填充单元中的所述第二布线填充接触和所述第二虚设填充接触在所述第一方向上具有相等的长度。


6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，包括在所述第三填充单元中的所述第三虚设填充接触在所述第一方向上具有相等的长度。


7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，包括在所述第一填充单元中的所述第一布线填充接触中的至少一个第一布线填充接触电连接到从所述标准单元中的两个标准单元延伸的所述下布线图案，并且所述标准单元中的所述两个标准单元在所述第一方向上和在所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成玉，朴尚度，西门浚，李奉炫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR