温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及双向硅控整流器(SCR)及制造方法。该结构包括：多个扩散区域；与扩散区域相邻的多个p型(P+)阱，其中P+阱直接连接；以及与P+阱相邻的多个n型(N+)阱。...
该专利属于格芯美国公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯美国公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。