优化电流分布的方法、装置、集成电路芯片及电子设备制造方法及图纸

本申请涉及一种优化电流分布的方法、装置、集成电路芯片及电子设备，属于集成电路技术领域。该方法包括：获取用于表征芯片版图的静电释放的分析结果；基于分析结果，查找是否存在电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA；在存在电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA时，对芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，以使流经优化后的通孔VIA网络中的通孔VIA的最大电流值变小。基于表征芯片版图的静电释放的分析结果，当查找到电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA时，对芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，以使流经优化后的通孔VIA网络中的通孔VIA的最大电流值变小，以此改善电流在通孔VIA上分布不均衡的问题。

【技术实现步骤摘要】
优化电流分布的方法、装置、集成电路芯片及电子设备
本申请属于集成电路
，具体涉及一种优化电流分布的方法、装置、集成电路芯片及电子设备。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断进步，场效应晶体管(Field-EffectTransistor，FET)的栅长从以前的90nm、40nm、28nm直至目前FinFET(FinField-EffectTransistor)工艺的16nm、7nm。在金属线宽一样的条件下，随着金属层厚度的减小，金属线的横截面积也同比缩小，因此金属线过电流能力变弱，但是市场对产品耐静电释放(Electro-Staticdischarge，ESD)电流的要求没有变，例如，金属连接线同样要满足ESD人体放电模型(Human-BodyModel，HBM)在2kv或4kv标准下的电迁移(ElectroMigration，EM)能力要求，换算成ESD电流约等于1.5A或者3A瞬间电流，使得金属耐ESD电流/EM能力与金属线宽之间的矛盾被进一步凸显出来。为了满足金属线耐ESD电流设计要求，目前的处理方法有以下几种：1.采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化电流分布的方法，其特征在于，包括：/n获取用于表征芯片版图的静电释放的分析结果；/n基于所述分析结果，查找是否存在电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA；/n在存在电流值大于所述第一预设阈值的目标通孔VIA时，对所述芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，以使流经优化后的通孔VIA网络中的通孔VIA的最大电流值变小。/n

【技术特征摘要】
1.一种优化电流分布的方法，其特征在于，包括：
获取用于表征芯片版图的静电释放的分析结果；
基于所述分析结果，查找是否存在电流值大于第一预设阈值的目标通孔VIA；
在存在电流值大于所述第一预设阈值的目标通孔VIA时，对所述芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，以使流经优化后的通孔VIA网络中的通孔VIA的最大电流值变小。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，包括：
对所述目标通孔VIA所在通路上的通孔VIA网络的排布进行优化。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述目标通孔VIA所在通路上的通孔VIA网络的排布进行优化，包括：
删除所述目标通孔VIA所在通路上的通孔VIA网络。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
基于所述分析结果，查找是否存在电流值小于第二预设阈值的目标通孔VIA，其中，所述第二预设阈值小于所述第一预设阈值；
在存在电流值小于所述第二预设阈值的目标通孔VIA时，删除电流值小于所述第二预设阈值的目标通孔VIA。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述芯片版图中的通孔VIA网络的排布进行优化，包括：
对所述目标通孔VIA所在通路上的通孔VIA网络的排布进行优化；
确定流经优化后的通孔VIA网络中的任一通孔VIA的电流小于所述第一预设阈值。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，确定流经优化后的通孔VIA网络中的任一通孔VIA的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯东东，杨洋，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12