半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，其包括：第一有源图案和第二有源图案，其在基板上在第一方向上延伸；第一栅电极和第二栅电极，其在第二方向上延伸以与第一有源图案和第二有源图案相交；第一源极/漏极接触，其在第二方向上延伸并分别连接到第一有源图案的第一源极/漏极区域和第二有源图案的第二源极/漏极区域；第一源极/漏极通路，其连接到第一源极/漏极接触；第一单元分隔膜，其在第二方向上延伸并与第一有源图案和第二有源图案交叉，在第一源极/漏极接触和第二栅电极之间；第一栅极通路，其连接到第二栅电极并与第一源极/漏极通路一起沿着第一方向排列；以及第一连接配线，其在第一方向上延伸并且连接第一源极/漏极通路和第一栅极通路。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
专利技术构思涉及一种半导体器件、用于该半导体器件的布图设计方法以及用于制造该半导体器件的方法。
技术介绍
由于诸如小型化、多功能和/或低制造成本的特性，半导体器件作为电子工业中的重要元件而引人关注。半导体器件可以分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、对逻辑数据执行算术处理的半导体逻辑器件以及包括存储元件和逻辑元件等的混合半导体器件。随着电子工业高度发展，对半导体器件的特性的需求不断增加。例如，对半导体器件的高可靠性、高速度和/或多功能性的需求不断增加。为了满足这些期望的特性，半导体器件中的结构变得越来越复杂并被高集成。
技术实现思路
专利技术构思的方面提供一种半导体器件，其中顶部配线的使用减少，并且功率损耗和PnR(布局布线)资源损耗降低。专利技术构思的方面还提供一种用于半导体器件的布图设计方法，其中顶部配线的使用减少，并且功率损耗和PnR资源损耗降低。专利技术构思的方面还提供一种用于制造半导体器件的方法，其中顶部配线的使用减少，并且功率损耗和PnR资源损耗降低。然而，专利技术构思的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其包括：/n基板；/n在所述基板上在第一方向上延伸的第一有源图案；/n在所述基板上在所述第一方向上延伸的第二有源图案；/n在第二方向上延伸的第一栅电极，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第一栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；/n在所述第一栅电极的一侧在所述第二方向上延伸的第一源极/漏极接触，所述第一源极/漏极接触连接到所述第一有源图案的第一源极/漏极区域和所述第二有源图案的第二源极/漏极区域；/n连接到所述第一源极/漏极接触的第一源极/漏极通路；/n在所述第二方向上延伸的第二栅电极，所述第二栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；/n在所述第一源极/...

【技术特征摘要】
20191008 KR 10-2019-01243241.一种半导体器件，其包括：
基板；
在所述基板上在第一方向上延伸的第一有源图案；
在所述基板上在所述第一方向上延伸的第二有源图案；
在第二方向上延伸的第一栅电极，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第一栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；
在所述第一栅电极的一侧在所述第二方向上延伸的第一源极/漏极接触，所述第一源极/漏极接触连接到所述第一有源图案的第一源极/漏极区域和所述第二有源图案的第二源极/漏极区域；
连接到所述第一源极/漏极接触的第一源极/漏极通路；
在所述第二方向上延伸的第二栅电极，所述第二栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；
在所述第一源极/漏极接触和所述第二栅电极之间在所述第二方向上延伸的第一单元分隔膜，所述第一单元分隔膜与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉；
第一栅极通路，其连接到所述第二栅电极并与所述第一源极/漏极通路一起沿着所述第一方向排列；以及
第一连接配线，其在所述第一方向上延伸并且连接所述第一源极/漏极通路和所述第一栅极通路。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一连接配线在所述第一方向上以直线延伸。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：
第二源极/漏极接触，其在所述第一栅电极的另一侧，连接到所述第一源极/漏极区域；
第三源极/漏极接触，其在所述第一栅电极的所述另一侧，与所述第二源极/漏极接触间隔开并且连接到所述第二源极/漏极区域；
第一电源配线，其在所述第一方向上延伸并且连接到所述第二源极/漏极接触；以及
第二电源配线，其在所述第一方向上延伸并且连接到所述第三源极/漏极接触。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一连接配线被安置在与所述第一电源配线和所述第二电源配线相同的水平。


5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中
所述第一电源配线配置为具有施加到其的漏极电压，以及
所述第二电源配线配置为具有施加到其的源极电压。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：
第二源极/漏极接触，其在所述第二栅电极的一侧，通过所述第一单元分隔膜与所述第一源极/漏极接触间隔开并且连接到所述第一源极/漏极区域；
第二源极/漏极通路，其连接到所述第二源极/漏极接触；以及
输出配线，其在所述第一方向上延伸并且连接到所述第二源极/漏极通路。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一连接配线在与所述输出配线相同的水平。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：
第二源极/漏极接触，其连接到所述第一源极/漏极区域；
第二源极/漏极通路，其连接到所述第二源极/漏极接触；
第二单元分隔膜，其在所述第二源极/漏极接触和所述第一栅电极之间在所述第二方向上延伸，所述第二单元分隔膜与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉；
第二栅极通路，其连接到所述第一栅电极并与所述第二源极/漏极通路一起沿着所述第一方向排列；以及
第二连接配线，其在所述第一方向上延伸并且连接所述第二源极/漏极通路和所述第二栅极通路。


9.根据权利要求8所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳志秀，俞炫圭，林承万，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR