金氧半导体模块与发光二极管显示设备制造技术

本发明专利技术提供一种金氧半导体模块，包含：半导体基板，及多个形成于半导体基板的金氧半导体组件，金氧半导体组件以至少一沟槽彼此间隔。每一个金氧半导体组件包括形成于半导体基板的重掺杂半导体层、形成于重掺杂半导体层的磊晶层、定义于磊晶层内，以裸露重掺杂半导体层的开口；及金属图案单元，金属图案单元具有位于磊晶层上的源极金属图案、位于磊晶层上的栅极金属图案；以及通过开口，自重掺杂半导体层向上延伸并凸伸出磊晶层的漏极金属图案。此外，本发明专利技术并提供具有此金氧半导体模块的发光二极管显示设备，借此，可适用于芯片级封装，且将金氧半导体模块整合于发光二极管显示面板，有助于缩减电路板上组件覆盖区的面积，而可增加显示区域。

【技术实现步骤摘要】
金氧半导体模块与发光二极管显示设备
本专利技术涉及一种半导体模块及具有该半导体模块的发光二极管显示设备，特别是涉及一种金氧半导体模块，及具有该金氧半导体模块的发光二极管显示设备。
技术介绍
随着可携式电子装置的形状与尺寸日趋缩小，电子组件，如金氧半导体组件，也朝向体积小、高性能的方向发展。然而，受限于半导体材料本身的特性与半导体制程的先天限制，缩小芯片尺寸的成本越来越高，因此，如何将多个半导体组件整合在同一个半导体模块，以缩减电路板上组件覆盖区的面积，已经成为半导体产业的重要发展方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种将多个金氧半导体组件整合在一起，而可以缩减电路板上组件覆盖区的面积，以降低制造成本的金氧半导体模块。本专利技术金氧半导体模块包含：具有第一导电型的半导体基板，及多个形成于该半导体基板的金氧半导体组件，且所述金氧半导体组件以至少一沟槽彼此间隔。其中，每一个金氧半导体组件包括：重掺杂半导体层、磊晶层、开口，及金属图案单元。该重掺杂半导体层形成于该半导体基板上，并具有与该第一导电型的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金氧半导体模块，其特征在于：包含：具有第一导电型的半导体基板，及多个形成于该半导体基板的金氧半导体组件，所述金氧半导体组件以至少一沟槽彼此间隔，且每一个金氧半导体组件包括：/n重掺杂半导体层，形成于该半导体基板上，具有与该第一导电型的导电型态相反的第二导电型；/n磊晶层，形成于该重掺杂半导体层上并具有该第二导电型；/n开口，定义于该磊晶层内，以裸露该重掺杂半导体层；及/n金属图案单元，具有位于该磊晶层上的源极金属图案、位于该磊晶层上的栅极金属图案；以及通过该开口，自该重掺杂半导体层向上延伸并凸伸出该磊晶层的漏极金属图案。/n

【技术特征摘要】
20191028 TW 1081388701.一种金氧半导体模块，其特征在于：包含：具有第一导电型的半导体基板，及多个形成于该半导体基板的金氧半导体组件，所述金氧半导体组件以至少一沟槽彼此间隔，且每一个金氧半导体组件包括：
重掺杂半导体层，形成于该半导体基板上，具有与该第一导电型的导电型态相反的第二导电型；
磊晶层，形成于该重掺杂半导体层上并具有该第二导电型；
开口，定义于该磊晶层内，以裸露该重掺杂半导体层；及
金属图案单元，具有位于该磊晶层上的源极金属图案、位于该磊晶层上的栅极金属图案；以及通过该开口，自该重掺杂半导体层向上延伸并凸伸出该磊晶层的漏极金属图案。


2.根据权利要求1所述的金氧半导体模块，其特征在于：该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。


3.根据权利要求1所述的金氧半导体模块，其特征在于：该开口位于该磊晶层的角落处。


4.根据权利要求1所述的金氧半导体模块，其特征在于：该金氧半导体组件为沟槽式金氧半导体组件。


5.根据权利要求1所述的金氧半导体模块，其特征在于：所述金氧半导体组件为以阵列排列方式间隔设置于该半导体基板。


6.根据权利要求1所述的金氧半导体模块，其特征在于：该沟槽为多条，并包括彼此纵横间隔交错的横向沟槽与纵向沟槽。


7.根据权利要求1所述的金氧半导体模块，其特征在于：该磊晶层具有两个位于角落且彼此邻接的两个蚀刻壁，且该两个蚀刻壁定义出该开口。


8.根据权利要求1所述的金氧半导体模块，其特征在于：该至...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂高维，张渊舜，杨立昌，林益胜，
申请(专利权)人：聚积科技股份有限公司，力士科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71